[发明专利]并联MOSFET逆变模块的测试电路及测试方法

权利要求书

1.一种并联MOSFET逆变模块的测试电路，其特征在于，由待测逆变模块、负载电路、主电源、辅助电源及PWM信号发生电路组成；所述待测逆变模块由驱动芯片、两个MOSFET管构成，其中第一MOSFET管的源极与第二MOSFET管的漏极连接，驱动芯片具有两个输出端，并分别连接至两个MOSFET管的栅极，所述驱动芯片接收PWM信号发生电路的PWM信号，并向两个MOSFET管的栅极发出相位相反的PWM驱动信号；第一MOSFET管的源极作为待测逆变模块的电源端，第二MOSFET管的漏极作为待测逆变模块的地端，两个MOSFET管的源极与漏极之间均通过二极管连接，二极管的导通方向由源极到漏极；所述驱动芯片的输入端作为待测逆变模块的输入端，第一MOSFET管的源极与第二MOSFET管的漏极的接点作为待测逆变模块的输出端；PWM信号发生电路的输出端与待测逆变模块的输入端连接，主电源的两端分别与待测逆变模块的电源端、地端连接而形成闭合回路；所述负载电路由调节电阻、负载电感、负载电阻及负载电容构成，其中调节电阻串接于测逆变模块的电源端与主电源之间，负载电感与负载电阻所组成的串联电路串接于待测逆变模块的输出端与地端之间，负载电容与主电源并联；辅助电源的正负极两端分别与待测逆变模块内驱动芯片的正负电源引脚相连接。

2.根据权利要求1所述的并联MOSFET逆变模块的测试电路，其特征在于，所述调节电阻是可调阻值的变阻器。

3.根据权利要求1所述的并联MOSFET逆变模块的测试电路，其特征在于，所述主电源是输出电压及输出电流均可调的可调电源。

4.根据权利要求1所述的并联MOSFET逆变模块的测试电路，其特征在于，所述PWM信号发生电路所输出的PWM信号占空比可调。

5.一种并联MOSFET逆变模块的测试方法，采用权利要求1所述的测试电路，包括短路测试、虚焊及元件缺陷测试、带载能力测试，其特征在于，所述短路测试的具体步骤如下：利用辅助电源为待测逆变模块供电，同时监测辅助电源电流是否超出预定范围，若超出则中止测试，排查原因，若辅助电源电流处于预定范围内，则测量待测逆变模块中的驱动芯片的各脚电压、电流是否异常，并利用PWM信号发生电路向待测逆变模块输出PWM信号，用示波器观察驱动芯片的输入及输出是否异常；若驱动芯片两个输出端电压被拉低，则说明对应的MOSFET管异常，若驱动芯片的电源引脚的电压被拉低或电流比正常工作的大，则说明驱动芯片和/或MOSFET管异常；在驱动芯片和MOSFET管均正常工作的情况下，断开PWM信号，再逐渐增加主电源的电压，监测主电源的输出电流，若此时主电源的输出电流不为零，则说明该待测逆变模块存在短路情况。

6.根据权利要求5所述的并联MOSFET逆变模块的测试方法，其特征在于，所述虚焊及元件缺陷测试的具体步骤如下：将主电源的输出电压调为零伏，并断开负载电阻，利用PWM信号发生电路向待测逆变模块输出PWM信号，用示波器观察待测逆变模块的输出端的波形，并将该波形与同样测试条件下的已确定质量没问题的参考逆变模块的输出端波形做对比，两个波形的幅值不同则说明待测逆变模块存在虚焊或缺陷元件。

7.根据权利要求5所述的并联MOSFET逆变模块的测试方法，其特征在于，所述带载能力测试的具体步骤如下：关闭主电源、辅助电源及PWM信号发生电路，然后将调节电阻的阻值调为零欧，再开启PWM信号发生电路，并调节PWM信号发生电路的输出信号的占空比，以保证待测逆变模块的两个MOSFET都能轮流导通；启动辅助电源为待测逆变模块供电，用示波器观察待测逆变模块的输出端的波形，同时逐渐升高主电源的输出电压，直到待测逆变模块的输出端的波形幅值不再升高，保持此时的主电源的输出电压，然后将PWM信号的占空比逐渐调小，直到主电源的输出电流为1A；再升高主电源的输出电压到实际工作电压，然后再逐渐增加PWM信号占空比，将待测逆变模块的输出电压波形与同样测试条件下的已确定质量没问题的参考逆变模块的输出电压波形做对比，如果波形一致，则判定被测模块正常，如果不一致则判定待测逆变模块异常。