[发明专利]凹陷缺陷的检测方法以及用于检测凹陷缺陷的晶圆

权利要求书

1.一种凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，所述凹陷缺陷的检测方法包括：

提供一晶圆，在所述晶圆上形成覆盖层，所述覆盖层的材料包含氧化硅和/或氮化硅，所述覆盖层的厚度在以上；

对所述晶圆进行刻蚀工艺，形成图案，使进行刻蚀工艺的图案位置不存在凹陷缺陷；

对所述晶圆进行刻蚀工艺后去除所述覆盖层；

检测所述晶圆上的凹陷缺陷，所述凹陷缺陷的尺寸大于

2.如权利要求1所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，所述凹陷缺陷位于所述晶圆上的有源区域。

3.如权利要求1－2中任意一项所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，在所述晶圆的表面形成所述覆盖层前，对所述晶圆进行清洁工艺。

4.如权利要求1－2中任意一项所述凹陷缺陷的检测方法，其特征在于，所述晶圆包括单晶硅基底。

5.一种用于检测凹陷缺陷的晶圆，其特征在于，所述用于检测凹陷缺陷的晶圆包括基底和形成于所述基底上的覆盖层，所述覆盖层的材料包含氧化硅和/或氮化硅，所述覆盖层的厚度在以上，所述基底上的凹陷缺陷被所述覆盖层覆盖，所述凹陷缺陷的尺寸大于所述晶圆上形成有至少贯穿所述覆盖层的图案，以使所述晶圆在图案位置不存在凹陷缺陷。

6.如权利要求5中所述用于检测凹陷缺陷的晶圆，其特征在于，所述凹陷缺陷位于晶圆上的有源区域。