[发明专利]抗电势诱导衰减的光伏组件

说明书

本发明公开了抗电势诱导衰减的光伏组件，通过在光伏组件的第二EVA层和玻璃之间设置氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层，有效地阻挡了所述玻璃中钠离子和钙离子等游离的金属离子迁移至光伏组件的太阳能电池片层上，以此削弱了电势诱导衰减现象对光伏组件造成的影响，而且所述氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层还可以作为减反射膜，减少所述光伏组件对太阳光的反射，提高入射光的吸收率，可起到提高光伏组件的光电转换效率的作用。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，尤其是抗电势诱导衰减的光伏组件。

背景技术

目前的光伏组件中，常会出现严重影响光伏组件运行的可靠性和稳定性的电势诱导衰减现象，在发生电势诱导衰减现象的光伏组件中，光伏组件的金属边框会产生巨大的电压，影响与其四周相邻的太阳能电池片，金属边框上形成的强大电场会使光伏组件的玻璃中游离的钠钙等金属离子迁移至太阳能电池片的表面，这些汇集在太阳能电池片表面的金属离子会进一步扩散至太阳能电池片的内部材料中，从而影响太阳能电池片的光电转换效率等各种电性能参数。电势诱导衰减现象可使光伏组件损失50％以上的功率，会对大规模使用光伏组件的电站造成巨大的损失。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供抗电势诱导衰减的光伏组件，来解决上述问题。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板、第一EVA层、太阳能电池片层、第二EVA层和玻璃，所述太阳能电池片层包括呈阵列排布的多个太阳能电池片，所述第二EVA层和所述玻璃之间设置有氮化硅薄膜层，所述氮化硅薄膜层用于阻挡所述玻璃中的金属离子朝所述太阳能电池片迁移。

优选地，所述多个太阳能电池片组成的阵列包括排布在所述阵列的边缘上的外侧太阳能电池片，所述氮化硅薄膜层为环状结构，所述氮化硅薄膜层在所述太阳能电池片层上的投影至少完全覆盖所述外侧太阳能电池片。

优选地，所述氮化硅薄膜层为完整平面结构，所述氮化硅薄膜层在太阳能电池片层上的投影至少完全覆盖所述多个太阳能电池片。

优选地，所述氮化硅薄膜层的厚度为60nm～80nm。

优选地，所述氮化硅薄膜层的折射率为1.9～2.3。

优选地，所述氮化硅薄膜层和所述玻璃之间还设置有二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层用于阻挡所述玻璃中的金属离子朝所述太阳能电池片迁移。

优选地，所述二氧化硅薄膜层的折射率为1.4～1.5，所述二氧化硅薄膜层的厚度为15nm～25nm。

本发明还提供了另一种抗电势诱导衰减的光伏组件，包括依次设置的背板、第一EVA层、太阳能电池片层、第二EVA层和玻璃，所述太阳能电池片层包括呈阵列排布的多个太阳能电池片，所述第二EVA层和所述玻璃之间设置有二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层用于阻挡所述玻璃中的金属离子朝所述太阳能电池片迁移。

优选地，所述二氧化硅薄膜层的折射率为1.4～1.5，所述二氧化硅薄膜层的厚度为15nm～25nm。

本发明提供的抗电势诱导衰减的光伏组件，通过在光伏组件的第二EVA层和玻璃之间设置氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层，有效地阻挡了所述玻璃中钠离子和钙离子等游离的金属离子迁移至光伏组件的太阳能电池片层上，以此削弱了电势诱导衰减现象对光伏组件造成的影响，而且所述氮化硅薄膜层或二氧化硅薄膜层还可以作为减反射膜，减少所述光伏组件对太阳光的反射，提高入射光的吸收率，可起到提高光伏组件的光电转换效率的作用。

附图说明

图1是本发明实施例1提供的一种抗电势诱导衰减的光伏组件的结构示意图；

图2是本发明实施1提供的光伏组件中的氮化硅薄膜层在太阳能电池片层上的投影示意图；