[发明专利]存储器的制备方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成多个第一图案层在所述衬底上，所述第一图案层呈条形结构并沿着第一方向延伸，多个所述第一图案层沿着第二方向在所述衬底上顺序排布，并且相邻的两个所述第一图案层之间界定出一第一凹槽，并且在所述衬底和所述第一图案层之间还形成有一图形转移层，所述图形转移层包括由下至上层迭的第一转移层和第二转移层；

形成一第一调整层在所述衬底上，所述第一调整层覆盖所述第一图案层并覆盖所述第一凹槽的侧壁和底壁，以利用所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁和底壁的部分在所述第一凹槽中形成一沿着所述第一方向延伸的第二凹槽；

对准填充一第二调整层在所述第二凹槽中，并使所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁的部分暴露出；

去除所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁的部分，以形成一沿着所述第一方向延伸的第一空隙在所述第一图案层和所述第二调整层之间，并保留所述第一调整层中位于所述第二调整层下方的部分，以利用所述第二调整层和剩余的所述第一调整层构成一第二图案层，并且所述第二图案层和所述第一图案层界定出所述第一空隙在所述第二方向上的宽度边界，其中采用干法刻蚀工艺去除所述第一调整层中覆盖所述第一图案层侧壁的部分，并且在刻蚀过程中，对所述第一调整层的刻蚀速率大于对所述第二调整层的刻蚀速率，以使所述第二调整层顶部的部分被部分消耗；

将所述第一图案层的图形和所述第二图案层的图形同时转移至所述衬底中，以形成与所述第一空隙对应的第一沟槽在所述衬底中，并且相邻的所述第一沟槽用于界定出存储器的有源区；其中，将所述第一图案层的图形和所述第二图案层的图形转移至所述衬底中的步骤包括：执行刻蚀工艺，以将所述第一图案层的图形和所述第二图案层的图形转移至所述图形转移层中，并进一步转移至所述衬底中以形成隔离沟槽，并且所述图形转移层的所述第一转移层与所述第二转移层的刻蚀选择比大于等于5，以在刻蚀所述图形转移层至形成所述隔离沟槽的过程中，所述第一图案层、所述第一调整层、所述第二调整层和所述第二转移层被消耗，而所述第一转移层被保留并被图形化；以及，

在形成所述隔离沟槽之后，还包括填充隔离材料在所述隔离沟槽中，以形成隔离结构，并在形成所述隔离结构之后，还进行一次致密化处理。

2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在部分去除所述第一调整层以形成所述第二图案层之后，以及将图形转移至所述衬底中之前，还包括：

形成多个第三图案层在所述第一图案层和第二图案层上，所述第三图案层呈条形结构并沿着所述第二方向延伸，以使所述第三图案层在所述第二方向上依次和所述第一图案层和所述第二图案层相交，相邻的两个所述第三图案层之间构成一开口，通过所述开口暴露出所述第一图案层和所述第二图案层中未与所述第三图案层相交的部分；以及，

以所述第三图案层为掩膜刻蚀所述第一图案层和所述第二图案层，以形成第二空隙在所述第一图案层和所述第二图案层中，所述第二空隙和所述第一空隙相互连通。

3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述第二空隙之后，将刻蚀后的所述第一图案层的图形和刻蚀后的所述第二图案层的图形转移至所述衬底中，以同时形成与所述第一空隙对应的所述第一沟槽和与所述第二空隙对应的第二沟槽在所述衬底中，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互连通用于构成隔离沟槽，并由所述隔离沟槽界定出多个所述有源区；

其中，多个所述有源区呈阵列式排布，并且在同一列中的多个所述有源区在所述第一方向上对齐排布，在同一行中的多个所述有源区在所述第二方向上对齐排布。

4.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在部分去除所述第一调整层以形成所述第二图案层之后，以及将图形转移至所述衬底中之前，还包括：

形成第三图案层在所述第一图案层和第二图案层上，所述第三图案层中形成有多行开孔，多行所述开孔沿着所述第一方向排布，以及每一行中的多个所述开孔沿着所述第二方向排布，并且相邻行的所述开孔沿着所述第二方向相互错开，以使奇数行中的所述开孔暴露出部分所述第一图案层，偶数行中的所述开孔暴露出部分所述第二图案层；

以所述第三图案层为掩膜刻蚀所述第一图案层和所述第二图案层，以形成与所述开孔位置对应的第二空隙在所述第一图案层和所述第二图案层中，所述第二空隙和所述第一空隙相互连通。