[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

本发明实施例公开了一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括导电层、第一介电层、磁性层、及蚀刻终止堆叠。所述第一介电层设置在所述导电层之上。所述磁性层设置在所述第一介电层之上。所述蚀刻终止堆叠设置在所述磁性层与所述第一介电层之间。所述蚀刻终止堆叠包括第二介电层及位于所述第二介电层与所述磁性层之间的多个单元层，且所述多个单元层中的每一者包括钽层及位于所述钽层上的氧化钽层。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年5月31日提出申请的序列号为62/512,735的美国临时申请的优先权。上述专利申请全文并入本文供参考且构成本说明书的一部分。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体装置被用于例如个人计算机、手机、数字相机、及其他电子装备等各种电子应用中。半导体装置通常是通过以下方式来制作：在半导体衬底之上依序沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层；以及利用光刻对所述各种材料层进行图案化以在所述各种材料层上形成电路组件及元件。

一般来说，电感器是可在由通过电感器的电流形成的磁场中存储能量的无源电子组件。电感器可用于各种各样的应用。然而，存在许多与电感器相关的挑战。

发明内容

本发明实施例的一种半导体装置包括导电层、第一介电层、磁性层、以及蚀刻终止堆叠。所述第一介电层设置在所述导电层之上。所述磁性层设置在所述第一介电层之上。所述蚀刻终止堆叠设置在所述磁性层与所述第一介电层之间且包括多个钽层及多个氧化钽层。

本发明实施例的另一种半导体装置包括导电层、第一介电层、磁性层、以及蚀刻终止堆叠。所述第一介电层设置在所述导电层之上。所述磁性层设置在所述第一介电层之上。所述蚀刻终止堆叠设置在所述磁性层与所述第一介电层之间。所述蚀刻终止堆叠包括第二介电层及位于所述第二介电层与所述磁性层之间的多个单元层，且所述多个单元层中的每一单元层包括钽层及位于所述钽层上的氧化钽层。

本发明实施例的一种形成半导体装置的方法包括至少以下步骤。在导电层之上形成第一介电层。在所述第一介电层之上形成蚀刻终止堆叠，且所述蚀刻终止堆叠包括多个钽层及多个氧化钽层。在所述蚀刻终止堆叠之上形成磁性层。在所述蚀刻终止堆叠覆盖所述第一介电层及所述导电层的同时，移除所述磁性层的一部分。移除所述蚀刻终止堆叠的一部分。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开内容的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的临界尺寸(critical dimension)。

图1A是根据一些实施例的半导体装置的示意性剖视图，且图1B是图1A的所标示部分B的放大图。

图2A至图2H是根据一些实施例的形成半导体结构的方法的示意性剖视图。

图3是示出根据本公开内容一些实施例的形成半导体装置的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第二特征形成在第一特征“之上(over)”或第一特征“上(on)”可包括其中第二特征及第一特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第二特征与第一特征之间可形成有附加特征、从而使得所述第二特征与所述第一特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。