[发明专利]一种量子点白光LED及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点白光LED的制备方法，其步骤如下：

(1)制备核掺杂Cu²⁺、壳层掺杂Al³⁺的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al绿光量子点，然后分散于有机溶剂中得到100～300mg/mL的量子点溶液；

(2)制备梯度合金的CdSe/CdS/ZnS红光量子点，然后分散于有机溶剂中得到0.5～5.0mg/mL量子点溶液；

(3)将步骤(2)制备的1mL的CdSe/CdS/ZnS量子点溶液加入到0.5～0.8g硅胶树脂A中，搅拌均匀，在40～60℃真空条件下热处理20～40min以除去溶剂，然后再加入0.2～0.5g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，得到CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物；

(4)取10～30μL步骤(3)制备的CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物滴涂在蓝光LED芯片上，并在室温下空气中固化1～3h，得到的量子点薄膜的厚度为10～50μm；

(5)将步骤(1)制备的2mL的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液加入到0.5～0.8g硅胶树脂A中，搅拌均匀，在40～60℃真空条件下热处理20～40min以除去溶剂，然后加入0.2～0.5g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，得到Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物；

(6)取10～30μL步骤(5)制备的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物滴涂在步骤(4)制备的滴涂有CdSe/CdS/ZnS量子点层的蓝光LED芯片上，在室温下空气中固化1～3h，然后在60～100℃真空条件下干燥处理1～3h，得到量子点薄膜厚度为10～50μm的量子点白光LED。

2.如权利要求1所述的一种量子点白光LED的制备方法，其特征在于：所述的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al绿光量子点是以ZnInS为核，在核中掺杂Cu²⁺；以ZnS为壳，在壳的外层掺杂Al³⁺，其中Cu²⁺和Zn²⁺的摩尔比为(0.01～0.1)：1，Al³⁺和Zn²⁺的摩尔比为(2～10)：1。

3.如权利要求1所述的一种量子点白光LED的制备方法，其特征在于：有机溶剂为氯仿、甲苯或正己烷。

4.如权利要求1所述的一种量子点白光LED的制备方法，其特征在于：Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点的峰值波长为510～550nm，CdSe/CdS/ZnS量子点的峰值波长为600～630nm。

5.如权利要求1所述的一种量子点白光LED的制备方法，其特征在于：蓝光LED芯片的峰值波长为440～460nm。

6.一种量子点白光LED，其特征在于：是由权利要求1～5任何一项所述的方法制备得到。