[发明专利]基片处理方法和热处理装置

权利要求书

1.一种对形成于基片的含金属膜进行热处理的基片处理方法，其特征在于：

所述热处理通过在设置于处理腔室的内部的热处理板上载置基片来进行，

在所述热处理中，对所述含金属膜供给水分，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气，

所述热处理包括：

在所述热处理板上载置了基片的状态下，对所述处理腔室的内部供给含水分气体，并且从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以第1排气量进行排气的第1工序；和

之后，停止所述含水分气体的供给，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以比所述第1排气量大的第2排气量进行排气的第2工序。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述处理腔室的内部的与所述热处理板相对的位置，设置有在下表面形成有多个气体供给孔的喷头，

在所述第1工序中，从所述喷头对所述处理腔室的内部供给所述含水分气体。

3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述处理腔室包括：可升降的上部腔室；和与所述上部腔室成为一体而能够将内部密闭的下部腔室，

在所述第2工序中，使所述上部腔室上升，使外部空气从所述处理腔室的外周部流入到内部，并且从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气。

4.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：

在所述第1工序后所述第2工序前，停止所述含水分气体的供给，从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以所述第1排气量进行排气的工序。

5.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：

在所述第2工序后，使基片从所述热处理板上升，停止所述含水分气体的供给，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以所述第2排气量进行排气的工序。

6.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述热处理中，在所述热处理板上载置了基片的状态下，

从在所述处理腔室的外周部环状地设置的水分供给部对该处理腔室的内部供给含水分气体，并且，

从设置于所述处理腔室的上表面中央部的中央排气部对该处理腔室的内部进行排气。

7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：

所述水分供给部在该水分供给部的圆周上等间隔地形成有多个气体供给孔，

从所述多个气体供给孔对所述处理腔室的内部供给所述含水分气体。

8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述处理腔室的外周部比所述水分供给部靠内侧设置有环状的气体流通部，

所述气体流通部在该气体流通部的圆周上等间隔地形成有多个气体流通孔，

从所述水分供给部供给的所述含水分气体，通过所述多个气体流通孔被供给到所述处理腔室的内部。

9.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述基片处理方法中，在基片上涂敷含金属材料来形成所述含金属膜，进而在对所述含金属膜进行曝光后，对该含金属膜进行热处理，

在所述热处理前或者所述热处理中，对所述含金属膜供给水。

10.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述处理腔室的外周部设置有开闭该处理腔室的开闭闸板，

所述热处理包括：

利用所述开闭闸板将所述处理腔室关闭，在所述热处理板上载置了基片的状态下，对所述处理腔室的内部供给含水分气体，并且从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的第1工序；

之后，使基片从所述热处理板上升，停止所述含水分气体的供给，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气的第2工序；和

之后，利用所述开闭闸板打开所述处理腔室的第3工序。