[发明专利]多阻障板在审
申请号: | 201711293100.8 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN108987301A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 林秉泽;林群智;练文政;何亦晨 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 上表面 多个窗 下表面 平坦 延伸穿过 从板 对准 穿过 配置 | ||
一种多阻障板,包括具有实质上平坦的上表面及实质上平坦的下表面的板、形成在板中并且从板的上表面延伸穿过至下表面的多个窗、以及安装在板上的多个蒸气阻障,这些蒸气阻障的各个蒸气阻障配置以防止蒸气穿过这些窗中的一对应窗。多阻障板包括形成在板中的孔,孔沿着对应于上表面的轴与多个窗的第一窗对准。
技术领域
本发明实施例是关于多阻障板。
背景技术
制造集成电路(IC)通常包括当执行一或多个制程于物件的顶表面或其附近时,将基板或其他物件固定在平台上的操作。例如,通常在执行掺杂及其他操作以形成源极及漏极结构之后,对基板进行退火。
在一些情形中,使用固定式设备进行激光尖峰退火(laser spike annealing,LSA),在激光尖峰退火设备下方,操控基板以对准目标位置。因为退火涉及可致使化学残余物蒸发的高温,一些退火设备由阻障保护而不受所造成的蒸气的影响。
发明内容
根据本揭露的一态样,一种多阻障板包括一板、多个窗、多个蒸气阻障以及一孔。板具有一平坦的上表面及一平坦的下表面。所述多个窗形成在该板中并且从该上表面延伸至该下表面而穿过该板。所述多个蒸气阻障安装在该板上,所述多个蒸气阻障的各个蒸气阻障配置以防止一蒸气穿过所述多个窗的一对应窗。该孔形成在该板中,该孔沿着对应于该上表面的一轴与所述多个窗的一第一窗对准。
附图说明
当结合随附附图阅读时,自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。应注意,根据工业中的标准实务,各个特征并非按比例绘制。事实上,出于论述清晰的目的,可任意增加或减小各个特征的尺寸。
图1A至图1B是根据一些实施例的蒸气阻障置换系统的图;
图2A至图2B是根据一些实施例的多阻障板的图;
图3A至图3B是根据一些实施例的多阻障板的图;
图4A至图4B是根据一些实施例的多阻障板的图;
图5是根据一些实施例的置换蒸气阻障的方法的流程图;
图6是根据一些实施例的用于控制蒸气阻障置换的系统的示意图。
具体实施方式
以下揭示提供许多不同实施例或实例,以便实施所提供标的的不同特征。下文描述部件、值、操作、材料、排列或类似者的特定实例以简化本揭示。当然,这些实例仅为实例且并不意欲为限制性。可以预期其他部件、值、操作、材料、排列、或类似者。例如,以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例,且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外,本揭示可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简明性及清晰的目的并且本身并不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。
进一步地,为了便于描述,本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外,空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。
在各个实施例中,平台支撑物件,光源引导光束至物件处,光学感测器侦测从物件发射及/或反射的光,而多阻障板包括板及多个蒸气阻障形成于板中的对应多个孔或安装于多个孔中。控制器用以基于侦测到的光确定多个蒸气阻障的第一蒸气阻障是否已经被包覆,以及若确定第一蒸气阻障已经被包覆,则以多个蒸气阻障的第二蒸气阻障于光学感测器与平台之间的位置置换多个蒸气阻障的第一蒸气阻障。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造