[发明专利]一种可降低开断电流的直流断路器及其直流故障处理策略在审

专利信息
申请号: 201711294056.2 申请日: 2017-12-08
公开(公告)号: CN107785867A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 徐政;唐英杰;肖晃庆;徐雨哲;李继红;陆翌 申请(专利权)人: 浙江大学;国家电网公司;国网浙江省电力公司;国网浙江省电力公司电力科学研究院
主分类号: H02H3/087 分类号: H02H3/087;H02H9/02
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 代理人: 王琛
地址: 310013 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 断电 直流 断路器 及其 故障 处理 策略
【权利要求书】:

1.一种可降低开断电流的直流断路器,其特征在于:包括正常通流支路、断流支路、耗能支路、超导限流器、电抗器以及隔离开关,正常通流支路与断流支路并联后一端与超导限流器的一端相连,另一端与耗能支路的一端以及直流输电线路相连;超导限流器的另一端与隔离开关的一端以及耗能支路的另一端相连,隔离开关的另一端与电抗器的一端相连,电抗器的另一端与换流站相连;

所述正常通流支路由超快速机械开关和负载转移开关串联组成,所述断流支路由主断路器构成,所述耗能支路由避雷器构成,所述主断路器由多个子模块串并联组成,所述负载转移开关由多个具有双向通流能力的子模块串并联组成。

2.根据权利要求1所述的直流断路器,其特征在于:所述主断路器的子模块采用增强型半桥子模块结构。

3.根据权利要求2所述的直流断路器,其特征在于:所述增强型半桥子模块结构包括两个带反并联二极管的IGBT管T1~T2、两个二极管D1~D2以及一个电容C1;其中,IGBT管T1的发射极与二极管D1的阴极相连并作为子模块的一端,IGBT管T1的集电极与IGBT管T2的集电极以及电容C1的一端相连,IGBT管T2的发射极与二极管D2的阴极相连并作为子模块的另一端,二极管D1的阳极与二极管D2的阳极以及电容C1的另一端相连,IGBT管T1~T2的基极均接外部控制电路提供的开关控制信号。

4.根据权利要求1所述的直流断路器,其特征在于:所述负载转移开关的子模块由两个带反并联二极管的IGBT管T3~T4组成;其中,IGBT管T3的集电极作为子模块的一端,IGBT管T3的发射极与IGBT管T4的发射极相连,IGBT管T4的集电极作为子模块的另一端,IGBT管T3~T4的基极均接外部控制电路提供的开关控制信号。

5.如权利要求1~4任一权利要求所述直流断路器的直流故障处理策略,包括如下步骤:

(1)正常运行时,使隔离开关和超快速机械开关闭合,负载转移开关内所有子模块处于开通状态,主断路器内所有子模块处于关断状态;

(2)直流输电线路发生短路故障情况下,当检测到故障电流后,首先对主断路器内所有子模块施加开通信号,经一小段延时后,再对负载转移开关内所有子模块施加关断信号;

(3)经过一小段延时,断开超快速机械开关;待超快速机械开关完全处于关断状态后,将主断路器内所有子模块设置为关断状态,阻断故障电流通路,则剩余能量将通过耗能支路进行释放。

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