[发明专利]形成垂直孔的刻蚀方法及其结构

权利要求书

1.一种形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：

S1：提供一半导体基板，所述半导体基板具有形成垂直孔的刻蚀区域；

S2：激光刻蚀步骤：预设激光刻蚀深度和激光刻蚀宽度，对所述半导体基板进行激光刻蚀，以在所述刻蚀区域形成具有第一宽度与第一深度的第一凹槽，所述第一凹槽包含粗糙的侧壁和底部；

S3：等离子体刻蚀步骤：预设等离子体刻蚀深度和等离子体刻蚀宽度，对所述第一凹槽的侧壁和底部进行等离子体刻蚀，以形成具有第二宽度与第二深度的第二凹槽，同时去除所述第一凹槽侧壁和底部的粗糙结构，以使所述第二凹槽包含光滑的侧壁和底部；

S4：重复执行由步骤S2至步骤S3组成的刻蚀周期，直至对所述刻蚀区域的刻蚀深度达到目标要求，其中，每个所述刻蚀周期中的所述激光刻蚀都是以相同的圆心进行刻蚀，且在进行下一个所述刻蚀周期时，预设所述激光刻蚀宽度小于上一个所述刻蚀周期形成的所述第二宽度，以使形成的所述垂直孔呈现宽度依次减小的结构，该结构与所述垂直孔后的金属层接触面积小，且等离子体刻蚀能快速反应所述刻蚀区域，对金属层的伤害小。

2.根据权利要求1所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：重复执行由步骤S2至步骤S3组成的刻蚀周期1次。

3.根据权利要求2所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：在进行第二个所述刻蚀周期时，预设所述激光刻蚀宽度小于第一个所述刻蚀周期形成的所述第二宽度。

4.根据权利要求3所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：在进行第二个所述刻蚀周期时，预设所述激光刻蚀宽度等于第一个所述刻蚀周期的预设激光刻蚀宽度。

5.根据权利要求1所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：步骤S2与步骤S3之间，还包括对所述半导体基板的清洗步骤，以去除所述激光刻蚀步骤中产生的颗粒。

6.根据权利要求1所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：所述半导体基板上设有定位标记，在进行步骤S2时，激光刻蚀设备自动通过所述定位标记对准所述刻蚀区域。

7.根据权利要求1所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：所述半导体基板包含由硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅组成的群组中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：所述激光刻蚀的激光源包含由波长473nm的激光源、波长532nm的激光源、波长556nm的激光源、波长635nm的激光源、波长671nm的激光源组成的群组中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：所述等离子体刻蚀包含由反应性离子刻蚀(RIE)和高密度等离子体刻蚀(HDP)组成的群组中的至少一种。

10.根据权利要求1-9任一项所述的形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于：所述垂直孔包含由通孔和盲孔组成的群组中的一种。

11.一种采用如权利要求1-10任意一项所述的形成垂直孔的刻蚀方法制作的垂直孔结构。