[发明专利]一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201711295269.7 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN109904310B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 吴卫华;朱小芹;薛建忠;袁丽;胡益丰;邹华 | 申请(专利权)人: | 江苏理工学院 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 付秀颖 |
地址: | 213001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 环境友好 sn sb ti 纳米 复合 相变 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜,其特征在于,其化学组成符合化学通式(SnxSb1-x)1-yTiy;
其化学组成为(Sn0.2Sb0.8)0.91Ti0.09、(Sn0.2Sb0.8)0.83Ti0.17或(Sn0.2Sb0.8)0.71Ti0.29;
其制备方法,包括以下步骤:
1)、将SnxSb1-x合金靶材放在溅射仪的靶位上,在SnxSb1-x靶材上面放置所需扇形Ti靶材,且扇形Ti靶材的圆心与SnxSb1-x合金靶材的圆心重合;
2)、将清洗干净的SiO2/Si(100)基片固定在样品托盘上,密封溅射仪器腔体,关闭对外通气阀门;开启真空计和机械泵抽真空,待腔体内真空达到5Pa或以下时,启动分子泵,打开插板阀,抽真空至2×10-4Pa以下;
3)、将SnxSb1-x合金靶材的交流电源溅射功率设置为18~22W;使用高纯Ar气作为溅射气体,Ar气流量设为26~32SCCM,溅射气压为2.0~2.6×10-1Pa;
4)、用上位机软件在线控制和监测镀膜的全过程,设置溅射时间,靶材的溅射速度为4~8s/nm,将SiO2/Si(100)基片旋转到SnxSb1-x(Ti)靶位,开启交流溅射电源,在SiO2/Si(100)基片上溅射一段时间后得到(SnxSb1-x)1-yTiy合金相变薄膜,溅射结束后,关闭SnxSb1-x(Ti)靶位的交流溅射电源。
2.如权利要求1所述的环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜,其特征在于,所述SiO2/Si(100)基片的清洗方法为先将基片置于乙醇溶液中,用超声清洗8~12分钟,去基片表面灰尘颗粒以及无机杂质;然后将基片置于丙酮溶液中,用超声清洗8~12分钟,去基片表面有机杂质;再将基片置于去离子水中,用超声清洗8~15分钟,再次清洗表面;然后取出基片,用高纯N2吹干表面和背面,放置在干燥箱内待用。
3.如权利要求2所述的环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜,其特征在于,所述的扇形Ti靶材的半径20mm,厚度2mm,圆心角为30°。
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