[发明专利]LED的电源供电电路在审

专利信息
申请号: 201711295439.1 申请日: 2017-12-08
公开(公告)号: CN107835547A 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 刘彦成 申请(专利权)人: 刘彦成
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 代理人: 张清彦
地址: 421800 湖南省衡阳*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: led 电源 供电 电路
【权利要求书】:

1.一种LED的电源供电电路,其特征在于,包括EMI滤波器、桥式整流电路、电压转换电路、恒流驱动电路、LED灯、控制器和电流采样电路,所述EMI滤波器的输入端连接220V交流电,所述桥式整流电路的输入端与所述EMI滤波器的输出端连接,所述桥式整流电路的输出端与所述电压转换电路的一个输入端连接,所述电压转换电路的输出端与所述恒流驱动电路的输入端连接,所述恒流驱动电路的输出端分别与所述LED灯和电流采样电路的输入端连接,所述电流采样电路的输出端与所述控制器的输入端连接,所述控制器的输出端与所述电压转换电路的另一个输入端连接;

所述电压转换电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电解电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三稳压二极管、第四二极管和第一三极管,所述第一电阻的一端与所述桥式整流电路的输出端连接,所述第一电阻的另一端分别与所述第三电阻的一端、第二二极管的阳极、第二电阻的一端和第一二极管的阴极连接,所述第三电阻的另一端与所述第一电解电容的正极连接,所述第一电解电容的负极分别与所述第一二极管的阳极和第一三极管的发射极连接,所述第二电阻的另一端与所述第一三极管的基极连接,所述第二二极管的阴极分别与所述第三稳压二极管的阴极和第四二极管的阳极连接,所述第三稳压二极管的阳极与所述第一三极管的集电极连接,所述第四二极管的阴极分别与所述第二电容的一端和恒流驱动电路的输入端连接,所述第二电容的另一端与所述第三稳压二极管的阳极连接并接地,所述第三电阻的阻值为1.3kΩ,所述第四二极管的型号为E-501。

2.根据权利要求1所述的LED的电源供电电路,其特征在于,所述电压转换电路还包括第五二极管,所述第五二极管的阳极与所述第一电阻的另一端连接,所述第五二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接,所述第五二极管的型号为E-501。

3.根据权利要求2所述的LED的电源供电电路,其特征在于,所述电压转换电路还包括第四电阻,所述第四电阻的一端与所述第一二极管的阳极连接,所述第四电阻的另一端与所述第一三极管的发射极连接,所述第四电阻的阻值为1.6kΩ。

4.根据权利要求3所述的LED的电源供电电路,其特征在于,所述第一三极管为NPN型三极管。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的LED的电源供电电路,其特征在于,所述恒流驱动电路包括第二三极管、第三三极管、第五电阻、第六电阻、第三电容和第四电容,所述第五电阻的一端和第二三极管的集电极均与所述电压转换电路的输出端连接,第五电阻的另一端分别与所述第二三极管的基极和第四电容的一端连接,所述第四电容的另一端与所述第三三极管的集电极连接,所述第二三极管的发射极分别与所述第三电容的一端和第六电阻的一端连接,所述第三电容的另一端与所述第三三极管的基极连接,所述第三三极管的发射极和第六电阻的另一端均与所述LED灯连接,所述第三电容的电容值为200pF,所述第四电容的电容值为220pF。

6.根据权利要求5所述的LED的电源供电电路,其特征在于,所述第二三极管和第三三极管均为NPN型三极管。

7.根据权利要求1至4任意一项所述的LED的电源供电电路,其特征在于,所述电流采样电路包括第一MOS管、运算放大器、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第五电容和第六二极管,所述第一MOS管的源极通过所述第七电阻与所述恒流驱动电路的输出端连接,所述第一MOS管的栅极与所述控制器连接,所述第一MOS管的漏极通过所述第十一电阻分别与所述第五电容的一端和第八电阻的一端连接,所述第五电容的另一端接地,所述第八电阻的另一端与所述运算放大器的同相输入端连接,所述运算放大器的反相输入端分别与所述第九电阻的一端和第十电阻的一端连接,所述第九电阻的另一端接地,所述运算放大器的输出端分别与所述第十电阻的另一端和第六二极管的阳极连接,所述第六二极管的阴极与所述控制器连接,所述第十一电阻的阻值为1.2kΩ,所述第六二极管的型号为S-562。

8.根据权利要求7所述的LED的电源供电电路,其特征在于,所述第七电阻的阻值和第八电阻的阻值均为180Ω,所述第九电阻的阻值为1.3kΩ,所述第十电阻的阻值为9.1kΩ,所述第五电容的电容值为750pF。

9.根据权利要求8所述的LED的电源供电电路,其特征在于,所述第一MOS管为N沟道MOS管。

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