[发明专利]用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置

说明书

极紫外光(EUV)辐射源设备包含收集器、用于产生锡(Sn)液滴的目标液滴产生器、可旋转碎片收集装置、以及围住至少收集器和可旋转碎片收集装置的腔室。可旋转碎片收集装置包含第一端支撑件、第二端支撑件以及多个叶片，这些叶片的端部分别由第一端支撑件和第二端支撑件支撑。这些叶片中的至少一个的表面涂覆将SnH₄还原为Sn的催化剂层。

技术领域

本发明实施例有关于半导体装置制造技术，且特别关于图案化形成方法和光微影设备。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经经历了指数型成长。集成电路(IC)的材料和设计上的技术进展已经产生了数个世代的集成电路(IC)，每一世代的集成电路(IC)皆比前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路(IC)演进的历程中，功能密度(亦即单位芯片面积的互连装置数量)普遍地增加，同时缩小几何尺寸(亦即使用生产制程可产生的最小组件(或线))。此尺寸缩减的制程通常通过提高生产效率和降低相关的成本而提供了一些益处。这样的尺寸缩减也增加了集成电路(IC)的制造和生产的复杂性。

举例而言，执行较高解析度光微影制程的需求增加。一种光微影技术是极紫外光微影(extreme ultraviolet lithography，EUVL)。极紫外光微影(EUVL)采用扫描器，其使用在极紫外光(EUV)区的光，其波长约1至100纳米(nm)。一些极紫外光(EUV)扫描器提供4倍(4X)缩小投影印刷，其类似于一些光学扫描器，除了极紫外光(EUV)扫描器使用反射光学而非折射光学，亦即使用反射镜而非透镜。一种极紫外光(EUV)源是激光引发等离子体(laser-produced plasma，LPP)。激光引发等离子体(LPP)技术通过将高能激光束聚焦于小锡液滴目标上来形成高度离子化等离子体，其发射出具有峰值最大发射(peak maximumemission)在13.5纳米的极紫外光(EUV)，以产生极紫外光(EUV)。接着，通过激光引发等离子体(LPP)收集器聚集极紫外光(EUV)，并且通过光学器件朝向例如晶片的光微影目标反射极紫外光(EUV)。由于颗粒、离子、辐射以及最严重的是锡沉积的影响，导致激光引发等离子体(LPP)收集器受损和劣化。

发明内容

本发明的一些实施例提供极紫外光(EUV)辐射源设备的碎片收集装置，此装置包含第一端支撑件、第二端支撑件以及多个叶片，第一端支撑件和第二端支撑件分别支撑这些叶片的端部，这些叶片中的至少一个的表面涂覆将氢化物还原的催化剂层。

本发明的一些实施例提供极紫外光(EUV)辐射源设备，此设备包含收集器，目标液滴产生器用于产生锡(Sn)液滴，旋转碎片收集装置，以及腔室围住至少收集器和旋转碎片收集装置，其中旋转碎片收集装置包含第一端支撑件、第二端支撑件和多个叶片，第一端支撑件和第二端支撑件分别支撑这些叶片的端部，这些叶片中的至少一个的表面涂覆将SnH₄还原为Sn的催化剂层。

本发明的一些实施例提供极紫外光(EUV)辐射的产生方法，此方法包含以激光在氢气环境中照射锡液滴，从而产生极紫外光辐射，以及透过使用碎片收集装置将SnH₄还原为Sn，从而收集碎片，其中碎片收集装置包含多个叶片，第一端支撑件和第二端支撑件分别支撑这些叶片的两端，且这些叶片中的至少一个的表面涂覆Ru层。

附图说明

通过以下的详述配合所附附图，可以更加理解本发明实施例的观点。须强调的是，根据业界标准惯例，各个不同部件(feature)未必按照比例绘制且仅用于图示说明的目的。事实上，为了讨论的明确易懂，各种部件的尺寸可随意增加或减少。

图1是根据本发明的一些实施例所建构的具有激光引发等离子体(LPP)极紫外光(EUV)辐射源的极紫外光(EUV)微影系统的示意图。