[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一n型晶体管，包括：

形成自一基板凸起的一第一半导体鳍状物；以及

形成一第一栅极堆叠于该第一半导体鳍状物上，其中形成该第一栅极堆叠的步骤包括：

沉积一第一栅极介电层于该第一半导体鳍状物上；

形成一第一盖层于该第一栅极介电层上；

采用第一组工艺参数沉积一功函数材料于该第一盖层上，其中该功函数材料顺应性地延伸于该第一盖层上，其中第一组工艺参数有关于形成具有一第一功函数的该功函数材料，其中该第一功函数有关于该功函数材料的第一结晶方向与第二结晶方向的第一比例；以及

形成一p型晶体管，包括：

形成自该基板凸起的一第二半导体鳍状物；以及

形成一第二栅极堆叠于该第二半导体鳍状物上，其中形成该第二栅极堆叠的步骤包括：

沉积一第二栅极介电层于该第二半导体鳍状物上；

形成一第二盖层于该第二栅极介电层上；以及

采用第二组工艺参数沉积该功函数材料于该第二盖层上，其中第二组工艺参数有关于形成具有一第二功函数的该功函数材料，其中该第二功函数有关于该功函数材料的第一结晶方向与第二结晶方向的一第二比例。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括扩散一掺质至该功函数材料中。

3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中该掺质为氟。

4.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中该第一结晶方向的第一掺质扩散力不同于第二结晶方向的第二掺质扩散力。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该功函数材料为氮化钛。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该功函数材料的沉积厚度小于

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中第一结晶方向为(111)，而第二结晶方向为(200)。

8.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中存在于该n型晶体管的功函数材料中的第一结晶方向的数量，与存在于该n型晶体管的功函数材料中的第二结晶方向的数量之间的比例即该第一比例。

9.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一第一晶体管，其包括：

形成第一栅极介电层于基板中的一第一通道区上；

形成一第一盖层与该第一栅极介电层上；以及

形成一第一功函数层于该第一盖层上，其中该第一功函数层顺应地延伸于该第一盖层上，其中形成该第一功函数层的步骤包括采用第一工艺条件沉积一功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第一比例的该功函数材料；以及

形成一第二晶体管，其包括：

形成一第二栅极介电层于该基板中的一第二通道区上；

形成一第二盖层于该第二栅极介电层上；以及

形成一第二功函数层于该第二盖层上，其中该第二功函数层顺应性地延伸于该第二盖层上，其中形成该第二功函数层的步骤包括采用第二工艺条件沉积该功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第二比例的该功函数材料。

10.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，还包括扩散一掺质至该功函数材料中，其中扩散至该功函数层中具有第一结晶方向的区域的该掺质，比扩散至该功函数层中具有第二结晶方向的区域的该掺质多。

11.如权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其中该掺质为氟。

12.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其中该第一工艺条件包括第一温度，其介于320℃至380℃之间。

13.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，还包括回火该功函数层。