[发明专利]低边输出三晶体模块电路

权利要求书

1.一种低边输出三晶体模块电路，其特征在于包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元和电阻R1，其中：

所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管集电极通过电阻R1连接电源正极，所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端(栅极或基极)和储能延时单元的输入端，所述第三晶体管的接地端(源极或发射极)接地，所述第三晶体管的输出端(漏极或集电极)连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的基极连接所述储能延时单元的输出端，所述储能延时单元的接地端接地，所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极，所述第三晶体管输出端(漏极或集电极)作为所述低边输出三晶体模块电路的输出端，用于控制外部负载的冷端；

当所述第三晶体管正常导通时，所述储能延时单元储能，所述第二晶体管的发射极电流为0使所述第一晶体管截止；当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时，所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。

2.根据权利要求1所述的低边输出三晶体模块电路，其特征在于还包括：

二极管D6和电阻R6，所述二极管D6的正极同时连接所述第二晶体管集电极和所述电阻R6的一端，所述二极管D6的负极连接所述第三晶体管输出端(漏极或集电极)，所述电阻R6的另一端连接所述第三晶体管输出端或连接所述低边输出三晶体模块电路的电源正极。

3.一种低边输出三晶体模块电路，其特征在于包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元、电阻R1和二极管D6，其中：

所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管集电极通过电阻R1连接电源正极，所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端(栅极或基极)和储能延时单元的输入端，所述第三晶体管的接地端(源极或发射极)接地，所述第三晶体管的输出端(漏极或集电极)通过所述二极管D6连接所述第二晶体管的发射极，所述第二晶体管的基极连接所述储能延时单元的输出端，所述第二晶体管的集电极连接所述低边输出三晶体模块电路的电源正极或连接所述第三晶体管的输出端，所述储能延时单元的接地端接地，所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极，所述第三晶体管输出端(漏极或集电极)作为所述低边输出三晶体模块电路的输出端，用于控制外部负载的冷端；

当所述第三晶体管正常导通时，所述储能延时单元储能，所述第二晶体管的发射极电压被拉低使所述阈值调整单元和所述第一晶体管截止；当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时，所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护，当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通，通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态：若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。

4.根据权利要求3所述的低边输出三晶体模块电路，其特征在于：

在所述第二晶体管的集电极回路或发射极回路上串接有限流电阻。