[发明专利]多肉植物静夜的叶插幼苗栽培方法

说明书

本发明公开了多肉植物静夜的叶插幼苗栽培方法，其关键步骤包括：在植株下部安装一个圆锥面形状的挡板，在花盆内铺上一层陶粒，将花盆中间上部的陶粒往花盆四周拨开，在花盆中间陶粒上方形成一个凹口，接着将挡板连同植株放到花盆中间的凹口位置；使用超声波雾化器对营养液进行雾化，并将营养液的水雾从花盆底部通入，另外花盆底部设置风机进行吹风或抽风；通过超声波雾化器将营养液雾化并配合风机工作，促进根系向下生长以吸收更多养分供给植株的叶片，而且气流促使新植株的叶片水分蒸发加速，又间接地促使根系更快地吸收水分和养分，最终促使新植株整体更加快速地生长。

技术领域

本发明属于植物栽培方法领域，具体涉及多肉植物静夜的栽培方法。

背景技术

静夜属于景天科拟石莲花属的多肉植物、属于较迷你的石莲花，个头非常小，很容易群生，日照充分的时候，叶尖会变红，非常可爱。静夜常用的繁殖方式有叶插与扦插，叶插较容易，但叶插苗长出后养护时间较长，很容易在这期间死掉，要获得较大棵的植株需要栽培较长的时间，寻求能够加速静夜的叶插小苗植株生长的栽培方法是本领域技术人员的迫切愿望。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术存在的不足，提供一种多肉植物静夜的叶插幼苗栽培方法。

为实现本发明之目的，采用以下技术方案予以实现：一种多肉植物静夜的叶插幼苗栽培方法，包括以下步骤：

①在4、5、10或11月，且气温在10～30℃时，将通过叶插繁殖获得的静夜植株从土中取出，用流动水洗净附着在根系上的泥土；接着在植株下部安装一个圆锥面形状的挡板；在口径10～15cm，底部具有排水孔的花盆内铺上一层粒径为3～6mm的陶粒，将花盆中间上部的陶粒往花盆四周拨开，在花盆中间陶粒上方形成一个凹口，陶粒层靠近花盆侧壁位置的高度为8～12cm；接着将挡板连同植株放到花盆中间的凹口位置；

②在水槽中放入50～100ppm浓度的吲哚丁酸溶液，将花盆整个放入水槽的溶液中，溶液液面高度低于挡板的中部；浸泡6～8小时后取出；

③准备营养液，营养液中所含成分及浓度为：硝酸钾0.3g/L～0.4g/L，硫酸钾0.4～0.5g/L，硫酸0.2～0.3g/L，硼沙0.1g/L～0.2g/L，草木灰2g/L～3g/L，硫酸锌0.1g/L～0.2g/L，磷酸铵0.6g/L～0.8g/L，高锰酸钾0.2～0.3g/L；

④使用超声波雾化器对上步骤营养液进行雾化，并将营养液的水雾从花盆底部通入，另外花盆底部设置风机进行吹风或抽风；

在温度为10～15℃时，超声波雾化器每隔8～10min启动一次，启动后维持1～2min，超声波雾化器产生的水雾不超过陶粒层表面；在超声波雾化器关闭期间，风机从花盆内抽风使花盆内产生自上而下的气流，气流速度为0.3～0.4m/s；

在温度为15～20℃时，超声波雾化器每隔4～6min启动一次，启动后维持1～2min，超声波雾化器产生的水雾不超过陶粒层表面；在超声波雾化器关闭期间，风机从花盆内抽风使花盆内产生自上而下的气流，气流速度为0.4～0.5m/s；

在温度为20～25℃时，超声波雾化器每隔1～2min启动一次，启动后维持1～1.5min，超声波雾化器产生的水雾不超过陶粒层表面；在超声波雾化器关闭期间，风机从花盆内抽风使花盆内产生自上而下的气流，气流速度为0.4～0.5m/s；

在温度为25～30℃时，超声波雾化器每隔5～7min启动一次，启动后维持1.5～2min，超声波雾化器产生的水雾不超过陶粒层表面；在超声波雾化器关闭期间，风机从花盆内抽风使花盆内产生自上而下的气流，气流速度为0.6～0.7m/s；