[发明专利]一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法在审
申请号: | 201711304222.2 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN107919404A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 张宁;余新平;戴万雷;韩美英;丁阳 | 申请(专利权)人: | 北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0463 | 分类号: | H01L31/0463 |
代理公司: | 北京金阙华进专利事务所(普通合伙)11224 | 代理人: | 吴鸿维 |
地址: | 100085 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 透光 组件 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,所述薄膜太阳能电池为铜铟镓硒CIGS或铜锌锡硫CZTS太阳能电池;其特征在于:
首先采用激光器一对薄膜太阳能电池组件进行透光处理,在薄膜太阳能电池组件的玻璃基体上形成第一组刻线即透光刻线,完成透光处理后采用激光器二形成第二组刻线在透光区域两侧进行绝缘刻划。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
首先采用激光器一将已经制作完成的薄膜太阳能电池组件进行透光处理,将组件上所设定的透光区域的玻璃基体以上的所有膜层全部祛除。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
所设定的透光区域位于薄膜太阳能电池组件正负极之间,与薄膜太阳能电池组件发电部分间隔设置,透光区域可以等间距设置,也可以根据生产需求不等间距设置。
4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
激光器一采用从背面入射的方式即从薄膜太阳能电池组件玻璃基体底面入射,同时采用平顶光束整形光纤对激光器一进行光束整形,整形后输出的光斑为平顶光。
5.根据权利要求1、2或4所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
对激光器一进行光束整形形成1.2μm的方形平顶光斑,且该光斑的能量分布呈平顶分布。
6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
所述平顶光斑能量最低跟能量最高值相差不大于10%。
7.根据权利要求1、2或6所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
激光器一采用脉宽为100ns的红外激光器,激光器功率为1000Wat。
8.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
在使用激光器一完成透光处理后,采用激光器二进行绝缘处理,对透光刻线的两侧边缘均进行绝缘刻划,即通过激光器二形成第二组刻线对透光刻线两侧边缘钼层以上的所有膜层全部祛除。
9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
激光器二采用膜面或者玻璃面入射方式;
激光器二形成的第二组刻线要与步骤一形成的透光刻线平行,且绝缘线位于清边区域边缘未被激光处理的部分。
10.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
所述激光器二既可以采用跟激光器一相同的激光器,将激光功率调至激光器一的2%~5%即可,激光作用的方向跟激光器一相同。
所述激光器二也可以采用脉宽为10ns的532nm的激光器,激光器频率为70khz,功率为2Wat~5Wat,采用该激光器可以采用膜面入射的方式也可以采用背面入射的方式。
11.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于:
在第一组刻线和第二组刻线刻划过程中均采用随动吸尘的方式祛除形成的粉尘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的