[发明专利]一种铟的提纯方法

说明书

本发明提供了一种铟的提纯方法，包括以下步骤：以6N～7N的高纯铟作为籽晶，将待提纯液态5N铟以2～10℃/min升温至170～175℃，保温生长2～5h后以8～15r/min旋转下降，旋转下降4～6min后，再以1～5mm/min下降出加热体区域，得到6N铟。本发明在上述工艺下提纯得到的6N铟中Sn、Cd和Pb均小于0.1ppm。实验结果表明：5N铟提纯后得到的6N铟中Cd含量为0.016～0.022ppm，Pb含量为0.017～0.020ppm，Sn含量为0.023～0.028ppm。

技术领域

本发明涉及提纯技术领域，尤其涉及一种铟的提纯方法。

背景技术

铟具有十分独特而优良的物理和化学性能，广泛应用于电子计算机、能源、电子、光电、国防军事、航天航空、核工业和现代信息产业等高科技领域，在国民经济中的作用日趋重要。

金属材料纯度的提高，可使其化学、电学、光磁性、力学性能得到增强，随着光电学、航空航天、原子能等领域高新行业的发展，对高纯材料纯度的要求也越来越高。由于微量杂质的引入就会严重影响材料本身性能，因此铟的纯度是决定材料性能的重要因素。电子行业和半导体行业对铟纯度的要求极高，要求其纯度必须达到6N以上。

目前铟的提纯有以下几种方法：真空蒸溜法、电解精炼法、定向凝固法、旋转提拉法、区域熔炼法等，这些方法都很难达到6N，即使达到，有一些难去除杂质，如Sn、Cd、Pb，很难去除到0.1ppm以下。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种铟的提纯方法，该方法提纯得到的铟中Sn、Cd和Pb均小于0.1ppm。

本发明提供了一种铟的提纯方法，包括以下步骤：

以6N～7N的高纯铟作为籽晶，将待提纯液态5N铟以2～10℃/min升温至170～175℃，保温生长2～5h后以8～15r/min旋转下降，旋转下降4～6min后，再以1～5mm/min下降出加热体区域，得到6N铟。

优选地，铟的提纯在坩埚中进行，所述坩埚包括籽晶区和与籽晶区连接的提纯区；

所述6N～7N的高纯铟置于籽晶区中，待提纯液态5N铟置于提纯区。

优选地，坩埚置于旋转支撑台上进行旋转下降。

优选地，所述提纯区以加热体进行加热；所述加热体选自加热炉。

优选地，下降出加热体区域后，将坩埚移出冷却，整体取出物料，从上部切掉物料的1/6～1/5，剩余物料熔化，铸锭，得到6N铟。

优选地，所述待提纯液态5N铟中Cd含量为0.45～0.55ppm，Pb含量为1～1.3ppm，Sn含量为1.3～1.9ppm。。

本发明提供了一种铟的提纯方法，包括以下步骤：以6N～7N的高纯铟作为籽晶，将待提纯液态5N铟以2～10℃/min升温至170～175℃，保温生长2～5h后以8～15r/min旋转下降，旋转下降4～6min后，再以1～5mm/min下降出加热体区域，得到6N铟。本发明在上述工艺下提纯得到的6N铟中Sn、Cd和Pb均小于0.1ppm。实验结果表明：5N铟提纯后得到的6N铟中Cd含量为0.016～0.022ppm，Pb含量为0.017～0.020ppm，Sn含量为0.023～0.028ppm。

附图说明

图1为本发明提供的铟提纯方法采用的装置示意图。

具体实施方式

本发明提供了一种铟的提纯方法，包括以下步骤：