[发明专利]一种硒化镉薄膜气相外延制备系统

说明书

本发明涉及一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，属于半导体制造技术领域。该制备系统包括位移系统、控温系统、外延系统、操作箱、固定台、靶材存储箱，固定台固定设置在靶材存储箱顶端，操作箱设置在固定台上，位移系统设置在支撑架上，控温系统固定设置在位移系统顶端，外延系统水平设置且一端与操作箱连通，外延系统的另一端向控温系统延伸且可插入控温系统内。本发明在外延管中配备了源蒸发后流通的限向聚流罩以及源和生长衬底的支撑装置，分别利用限向聚流罩和支撑装置提高源的利用率和薄膜材料的高效率沉积。

技术领域

本发明涉及一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，属于半导体制造领域。

背景技术

硒化镉（CdSe）是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，因其具有较好的光电特性而受到广泛关注。硒化镉（CdSe）带隙较宽，并且为直接带隙，因而在太阳能电池、场致发光器件、微光调节器、y射线探测器等方面取得了巨大的成功。通过不同方法和设备制备的不同CdSe材料具有良好的应用前景。

提高CdSe薄膜的制备质量是制备性能优良的光电子器件的基础。不同设备和流程制备的CdSe薄膜，其结晶性能不同，薄膜质量存在差异从而影响其光电特性以及相关应用。目前，用于制备CdSe的主要设备有真空蒸发装置、喷雾热解装置、分子束外延（MBE）装置、化学浴沉积装置、化学气相沉积装置等。但是在现有的制备装置中存在以下几个问题：（1）设备价格昂贵，成本太高；（2）程序复杂，操作繁琐；（3）薄膜沉积的不均匀，结晶质量不好；（4）材料的利用率低。

发明内容

本发明针对现有技术存在的问题，提供一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，本发明采用加热炉不同温区控制，操作简单，控制精确；在真空腔内设置限向聚流罩，提高源的利用率和薄膜沉积速率。

本发明为解决其技术问题而采用的技术方案是：

一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，包括位移系统、控温系统、外延系统、操作箱32、固定台34、靶材存储箱35，固定台34固定设置在靶材存储箱35顶端，操作箱32设置在固定台34上，位移系统设置在支撑架19上，控温系统固定设置在位移系统顶端，外延系统水平设置且一端与操作箱32连通，外延系统的另一端向控温系统延伸且可插入控温系统内；

位移系统包括支撑板16、位移车17、控温滑轨18、电源滑轨20，控温滑轨18设置在支撑架19顶端，位移车17底端设置有车轮，车轮设置在控温滑轨18上且与控温滑轨18配合，支撑板16竖直设置在位移车17顶端的两侧，控温系统通过支撑板16固定设置在位移车17上方，电源滑轨20设置在地面且位于控温滑轨18的下方；