[发明专利]一种烧结磁体用钕铁硼磁粉的制备方法

权利要求书

1.一种烧结磁体用钕铁硼磁粉的制备方法，其特征是利用气雾化法制备出圆形多晶钕铁硼粉末颗粒，通过真空热处理调控粉末颗粒内部晶粒尺寸1-3μm，然后采用氢破技术将粉末颗粒破碎成单晶粉末颗粒；

具体工艺步骤为：

1)熔炼钕铁硼合金；

2)将合金放入坩埚中，对气雾化设备抽真空，加热、熔化、精炼，高压喷射，冷凝后收集粉末,粉末颗粒内部晶粒尺寸0.5-2.0μm；

3)用分样筛将气雾化粉末颗粒分级，筛选出合适粒度的粉末颗粒；

4)将筛选出的粉末颗粒置于真空热处理炉内进行热处理，调控颗粒内部的晶粒尺寸,晶粒尺寸1-3μm；

5)将经过热处理后的粉末颗粒置于氢破炉内进行氢破处理得到表面包覆富钕相的Nd2Fe14B单晶粉末颗粒；

6)对粉末颗粒进行脱氢处理，得到可用于制备高性能烧结磁体的钕铁硼粉,粒度为1-3μm的颗粒,且每个颗粒表层包覆有一薄层富钕相。

2.如权利要求1所述一种烧结磁体用钕铁硼磁粉的制备方法，其特征在于工艺步骤2)中，所述高压喷射压力1-8MPa，制备的钕铁硼粉末颗粒20-120μm。

3.如权利要求1所述一种烧结磁体用钕铁硼磁粉的制备方法，其特征在于工艺步骤3)中，所述分样筛筛选粒度为50μm～100μm的粉末颗粒。

4.如权利要求1所述一种烧结磁体用钕铁硼磁粉的制备方法，其特征在于工艺步骤4)中，所述热处理温度为600-1000℃，热处理时间2-10h。

5.如权利要求1所述一种烧结磁体用钕铁硼磁粉的制备方法，其特征在于工艺步骤5)中，所述氢破炉内温度100-150℃，氢破处理时氢气压力0.1-0.3MPa。

6.如权利要求1所述一种烧结磁体用钕铁硼磁粉的制备方法，其特征在于工艺步骤6)中，所述脱氢处理温度为500-800℃，脱氢2-10h。