[发明专利]极紫外光光刻系统

说明书

一种极紫外光光刻系统，包括配置以收集和反射极紫外光放射线的收集器、与收集器整合的盖体、连接盖体且配置以接收来自收集器的碎屑蒸气的第一排气线路、连接第一排气线路且配置以补集碎屑蒸气的碎屑补集器、以及连接碎屑补集器的第二排气线路。

技术领域

本公开实施例涉及一种光刻系统，且特别涉及一种极紫外光光刻系统。

背景技术

在半导体制造中，极紫外光光刻技术(extreme ultraviolet lithography,EUVL)已被开发来施行高分辨率的光刻。极紫外光光刻技术利用了使用极紫外光范围中的光线的扫描器，其波长范围约在1-100纳米。一些极紫外光扫描器提供了四倍缩小投影印刷(reduction projection printing)，类似于一些光学扫描器，差异仅在于极紫外光扫描器使用了反射式而非折射式光学系统，也就是使用了反射镜而非透镜。一种极紫外光光源称为激光产生等离子体(laser-produced plasma,LPP)。激光产生等离子体技术是通过将一高功率激光光束聚焦在微小的锡滴上形成高度离子化等离子体来产生极紫外光，其中前述高度离子化等离子体会在波长为13.5纳米时发出具有最大发射量的峰值的极紫外光放射线。此种极紫外光接着被激光产生等离子体收集器所收集，并通过光学系统反射至一光刻标的物，例如晶片。由于粒子、离子、放射线、以及最严重的锡沉积的影响，激光产生等离子体收集器将受到损坏及劣化(degradations)。在现有极紫外光光刻技术中的一个紧迫的问题为如何减少激光产生等离子体收集器的表面上的锡沉积，以延长激光产生等离子体收集器的使用寿命。

发明内容

本公开实施例包括一种极紫外光光刻系统。前述极紫外光光刻系统包括配置以收集和反射极紫外光放射线的收集器、与收集器整合的盖体、连接盖体且配置以接收来自收集器的碎屑蒸气的第一排气线路、连接第一排气线路且配置以补集碎屑蒸气的碎屑补集器、以及连接碎屑补集器的第二排气线路。

本公开实施例亦包括一种极紫外光光刻系统。前述极紫外光光刻系统包括配置以收集和反射极紫外光放射线的收集器；与收集器整合的盖体；连接盖体且配置以接收来自盖体的碎屑蒸气的第一排气线路，前述碎屑蒸气包括锡；连接第一排气线路且配置以接收碎屑蒸气并转换碎屑蒸气为液体或固体的碎屑补集器；连接碎屑补集器的第二排气线路；以及连接第二排气线路且配置以将碎屑蒸气由盖体抽出并进入第一排气线路的泵。

本公开实施例又包括一种极紫外光光刻系统。前述极紫外光光刻系统包括配置以收集和反射极紫外光放射线的收集器；与收集器整合的盖体；与收集器整合且配置以供应气体至收集器和盖体的气体供应模块；连接盖体的第一排气线路；连接第一排气线路的碎屑补集器；连接碎屑补集器的第二排气线路；以及连接第二排气线路以将排气抽出收集器和盖体的泵，其中前述排气带有碎屑的蒸气，且碎屑补集器配置以补集碎屑的蒸气。

附图说明

图1是表示根据本公开一些实施例的极紫外光光刻系统示意图。

图2是表示根据一些实施例，图1的极紫外光光刻系统中的极紫外光放射源、气体供应模块、以及排气系统的示意图。

图3A、图4、图5是表示根据一些实施例，图1的极紫外光光刻系统的部分的示意图和局部剖视图。

图3B、图3C、图3D是表示根据一些实施例，可被图3A中的碎屑补集器利用的一些碎屑补集结构。

图6是表示根据一些实施例的光刻工艺流程图。

附图标记说明：

10 光刻系统

12 放射源

14 照明器

16 光掩模平台

18 光掩模

20 投影光学盒