[发明专利]一种功率器件封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201711307494.8 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN108281406B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 武伟;林仲康;韩荣刚;石浩;田丽纷;王亮;唐新灵;李现兵;张朋;张喆 | 申请(专利权)人: | 全球能源互联网研究院有限公司 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L25/07;H01L29/417;H01L29/739;H01L21/60 |
代理公司: | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李博洋 |
地址: | 102209 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率器件 发射极 弹簧 上金属片 第一组件 封装结构 一一对应设置 弹性电极 压接 一体成型结构 挡板 从上至下 传统的 制造 | ||
1.一种功率器件封装结构,其特征在于,包括第一组件(1)、至少一个发射极上金属片(2)及至少一个功率器件(3),所述发射极上金属片(2)与功率器件(3)一一对应设置;
所述第一组件(1)从上至下依次包括发射极顶板(11)、第一弹簧(12)、挡板(13)及第二弹簧(14),所述第一弹簧(12)和第二弹簧(14)均为至少一个,且所述第一弹簧(12)、第二弹簧(14)与所述发射极上金属片(2)一一对应设置,所述第一组件(1)为一体成型结构;
所述第一组件(1)设置在所述至少一个发射极上金属片(2)上,所述至少一个发射极上金属片(2)设置在所述至少一个功率器件(3)上,所述功率器件(3)的发射极位于所述功率器件(3)的上侧;
所述功率器件(3)的栅极在功率器件(3)的上侧,采用引线键合的方式引出至所述挡板(13)上;
所述功率器件(3)的栅极在所述挡板(13)上并联后从所述功率器件封装结构的侧面引出。
2.根据权利要求1所述的功率器件封装结构,其特征在于,所述第一组件(1)的材料为铜或铜与锡的合金。
3.根据权利要求1所述的功率器件封装结构,其特征在于,所述功率器件(3)包括绝缘栅双极型晶体管。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的功率器件封装结构,其特征在于,还包括:集电极底板(5)和绝缘框架(6);
所述功率器件(3)固定设置于所述集电极底板(5)上,所述功率器件(3)的集电极位于所述功率器件(3)的下侧;
所述绝缘框架(6)与所述集电极底板(5)之间固定连接。
5.根据权利要求4所述的功率器件封装结构,其特征在于,所述发射极上金属片(2)和集电极底板(5)的材质相同,为金属钼或金属基复合材料可伐合金;
所述金属基复合材料可伐合金为金属钼与硅的合金或金属钼与铝的合金。
6.一种功率器件封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
采用一体成型工艺制备发射极顶板(11)、第一弹簧(12)、挡板(13)和第二弹簧(14),形成第一组件(1);
将至少一个发射极上金属片(2)设置在至少一个功率器件(3)上,所述功率器件(3)的发射极在功率器件(3)的上侧,所述发射极上金属片(2)与所述功率器件(3)一一对应设置;
将所述第一组件(1)设置在所述至少一个发射极上金属片(2)上,所述第一弹簧(12)、第二弹簧(14)与所述发射极上金属片(2)一一对应设置;
采用引线键合的方式将所述功率器件(3)的栅极引出至所述挡板(13)上,所述功率器件(3)的栅极在所述挡板(13)上并联后从所述功率器件封装结构的侧面引出。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,还包括:
将所述至少一个功率器件(3)固定设置在集电极底板(5)上;
将所述集电极底板(5)与绝缘框架(6)固定连接。
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