[发明专利]一种提高Y波导器件偏振性能测量准确性的方法有效

专利信息
申请号: 201711307932.0 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN108106817B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 苑勇贵;张浩亮;杨军;杨喆;侯成城;李寒阳;苑立波 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙;23
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摘要:
搜索关键词: 测量 保偏尾纤 连接点 偏振性能 检偏器 起偏器 高精度测量 测量光路 两次测量 偏振参数 性能缺陷 消光比 测光 芯片 输出 引入
【权利要求书】:

1.一种提高Y波导器件偏振性能测量准确性的方法,其特征是,第一部分:分别设定待测Y波导的输入保偏尾纤与起偏器保偏尾纤连接点、Y波导的输出保偏尾纤与检偏器保偏尾纤连接点的对轴角度同时为0°和同时为90°,使得传输在Y波导输入/输出保偏尾纤和芯片的两个正交偏振轴中的光信号实现能量交换,根据前后两次测量所得白光干涉信号,获取Y波导器件芯片消光比;第二部分:计算两次测量结果的平均值作为最终测量值;

所述的第一部分为下列两种具体方法中的一种,

第一种具体包括:

(1)测量随机选取的45°起偏器Ⅰ(201)的保偏尾纤Ⅰ(202)长度,记为lp,并计算保偏尾纤Ⅰ对应的光程,记为Sp=lp×Δnb

(2)测量随机选取的45°检偏器Ⅱ(209)的保偏尾纤Ⅱ(208)长度,记为la,并计算保偏尾纤Ⅱ对应的光程,记为Sa=la×Δnb;Δnb为保偏尾纤Ⅰ和Ⅱ的线性双折射;

(3)测量并记录待测Y波导器件的输入尾纤(204)长度lY-i、输出尾纤(206)长度lY-o、以及芯片(205)长度lY

(4)计算出Y波导器件的输入尾纤(204)、输出尾纤(206)、以及芯片(205)所对应的光程,并分别记为SY-i=lY-i×Δnb、SY-o=lY-o×Δnb、SY=lY×ΔnY,ΔnY为Y波导芯片的线性双折射;

(5)将45°起偏器尾纤与Y波导输入尾纤连接点(203)、45°检偏器尾纤与Y波导输出尾纤连接点(207)的对轴角度θ12设定为0°-0°,并进行熔接;

(6)将熔接后的Y波导待测光路接入白光干涉仪系统,获得第一次测量的干涉信号,其横坐标为扫描光程、单位μm,纵坐标为归一化偏振串音强度I、单位dB;

(7)从获得的干涉信号中提取出Y波导芯片消光比测量信息;如果Y波导尾纤的快轴与波导芯片的通光轴对准即波导为快轴工作,通过计算光程差,将芯片消光比特征干涉峰出现的位置定位到|Sp+Sa+SY-i+SY-o+SY|处;

(8)如果Y波导尾纤的慢轴与波导芯片的通光轴对准即波导为慢轴工作,通过计算光程差,将芯片消光比特征干涉峰出现的位置定位到|Sp+Sa+SY-i+SY-o-SY|处;

(9)获取第一次测量所得的Y波导芯片消光比数值,记为I1

(10)将步骤(5)所述的两个光纤连接点的对轴角度θ12调节为90°-90°,并进行熔接;

(11)将熔接后的Y波导待测光路再次接入白光干涉仪系统,获得第二次测量的干涉信号,其横坐标为扫描光程、单位μm,纵坐标为归一化偏振串音强度I、单位dB;

(12)如果Y波导尾纤的快轴与波导芯片的通光轴对准即波导为快轴工作,通过计算光程差,将芯片消光比特征干涉峰出现的位置定位到|Sp+Sa-SY-i-SY-o-SY|处;

(13)如果Y波导尾纤的慢轴与波导芯片的通光轴对准即波导为慢轴工作,通过计算光程差,将芯片消光比特征干涉峰出现的位置定位到|Sp+Sa-SY-i-SY-o+SY|处;

(14)获取第二次测量所得的Y波导芯片消光比数值,记为I2

第二种具体包括:

(1)测量随机选取的45°起偏器Ⅰ(201)的保偏尾纤Ⅰ(202)长度,记为lp,并计算保偏尾纤Ⅰ对应的光程,记为Sp=lp×Δnb

(2)测量随机选取的45°检偏器Ⅱ(209)的保偏尾纤Ⅱ(208)长度,记为la,并计算保偏尾纤Ⅱ对应的光程,记为Sa=la×Δnb;Δnb为保偏尾纤Ⅰ和Ⅱ的线性双折射;

(3)测量并记录待测Y波导器件的输入尾纤(204)长度lY-i、输出尾纤(206)长度lY-o、以及芯片(205)长度lY

(4)计算出Y波导器件的输入尾纤(204)、输出尾纤(206)、以及芯片(205)所对应的光程,并分别记为SY-i=lY-i×Δnb、SY-o=lY-o×Δnb、SY=lY×ΔnY,ΔnY为Y波导芯片的线性双折射;

(5)将45°起偏器尾纤与Y波导输入尾纤连接点(203)、45°检偏器尾纤与Y波导输出尾纤连接点(207)的对轴角度θ12设定为90°-90°,并进行熔接;

(6)将熔接后的Y波导待测光路接入白光干涉仪系统,获得第一次测量的干涉信号,其横坐标为扫描光程、单位μm,纵坐标为归一化偏振串音强度I、单位dB;

(7)从获得的干涉信号中提取出Y波导芯片消光比测量信息;如果Y波导尾纤的快轴与波导芯片的通光轴对准即波导为快轴工作,通过计算光程差,将芯片消光比特征干涉峰出现的位置定位到|Sp+Sa-SY-i-SY-o-SY|处;

(8)如果Y波导尾纤的慢轴与波导芯片的通光轴对准即波导为慢轴工作,通过计算光程差,将芯片消光比特征干涉峰出现的位置定位到|Sp+Sa-SY-i-SY-o+SY|处;

(9)获取第一次测量所得的Y波导芯片消光比数值,记为I1

(10)将步骤(5)所述的两个光纤连接点的对轴角度θ12调节为0°-0°,并进行熔接;

(11)将熔接后的Y波导待测光路再次接入白光干涉仪系统,获得第二次测量的干涉信号,其横坐标为扫描光程、单位μm,纵坐标为归一化偏振串音强度I、单位dB;

(12)如果Y波导尾纤的快轴与波导芯片的通光轴对准即波导为快轴工作,通过计算光程差,将芯片消光比特征干涉峰出现的位置定位到|Sp+Sa+SY-i+SY-o+SY|处;

(13)如果Y波导尾纤的慢轴与波导芯片的通光轴对准即波导为慢轴工作,通过计算光程差,将芯片消光比特征干涉峰出现的位置定位到|Sp+Sa+SY-i+SY-o-SY|处;

(14)获取第二次测量所得的Y波导芯片消光比数值,记为I2

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