[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201711307938.8 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107863391A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 罗艳 | 申请（专利权）人： | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
P型衬底；
隔离层，所述隔离层位于所述P型衬底上；
N型硅层，所述N型硅层位于所述隔离层上；
P型阱，所述P型阱位于所述N型硅层一侧的所述隔离层上；
N型阱，所述N型阱位于所述N型硅层另一侧的所述隔离层上；
源极，所述源极位于所述P型阱上；
漏极，所述漏极位于所述N型阱上；
氧化层，所述氧化层位于所述N型硅层上；
第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述氧化层、P型阱和N型阱；
第二介质层，所述第二介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述第一介质层，所述第二介质层上设有凹槽，所述凹槽内形成有栅极；
金属拱形场板，所述金属拱形场板跨过所述栅极，且所述金属拱形场板的一端与源极连接，另一端搭接在所述栅极与所述漏极之间的第二介质层上；
其中，所述第一介质层内具有位于下层的多个半绝缘电阻极板和位于上层的多个导体极板，所述多个半绝缘电阻极板和所述多个导体极板均横向间隔排列，且任意一个所述半绝缘电阻极板与上层相邻的一个导体极板垂直连接，与上层相邻的另一个导体极板构成电容器，位于左右最外侧的两个导体极板分别与所述P型阱和N型阱垂直连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个半绝缘电阻极板设于所述氧化层上表面。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个半绝缘电阻极板的间距为2微米。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极与所述漏极之间的第二介质层上埋设有金属柱，所述金属拱形场板与所述第二介质层搭接的一端与所述金属柱固定连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极的截面形状为T形。
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