[发明专利]包括突起焊盘的半导体存储器装置

说明书

公开了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括：衬底，其包括单元阵列区和接触区；和堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个栅电极。堆叠结构在接触区中可包括阶梯式结构。所述多个栅电极中的每一个可包括包含阶梯式结构中的阶梯的对应的焊盘单元。焊盘单元中的至少一个可包括基础焊盘和基础焊盘上的突起焊盘。突起焊盘可位于基础焊盘的表面的垂直于对应的栅电极的延伸方向的两条边之间并且与所述两条边间隔开。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0167935的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思的实施例涉及半导体存储器装置，并且更具体地说，涉及包括阶梯式结构的半导体存储器装置。

背景技术

可提高半导体存储器装置的集成度以满足消费者对性能和价格的需求。就2D或平面半导体存储器装置而言，由于主要通过单位存储器单元占据的面积来确定集成度，因此集成度可极大地受到微图案形成技术的水平的影响。

为了实现微图案，可使用高价设备，并且作为结果，2D半导体存储器装置的集成度会受限。为了提高集成度，3D半导体存储器装置可包括按照3D排列的存储器单元。

该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理解，因此，其可包含不构成现有技术的信息。

发明内容

本发明构思的实施例可提供具有提高的可靠性的半导体存储器装置。

根据本发明构思的一些实施例，提供了半导体存储器装置。一种半导体存储器装置可包括：衬底，其包括单元阵列区和接触区；和堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个栅电极。堆叠结构在接触区中可包括阶梯式结构。所述多个栅电极中的每一个可包括包含阶梯式结构中的阶梯的对应的焊盘单元。焊盘单元中的至少一个可包括基础焊盘和基础焊盘上的突起焊盘。突起焊盘可位于基础焊盘的表面的与对应的栅电极的延伸方向垂直的两条边之间并且与所述两条边间隔开。

根据本发明构思的一些实施例，提供了半导体存储器装置。一种半导体存储器装置可包括：衬底，其包括单元阵列区和接触区；和堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个栅电极。堆叠结构可包括接触区中的阶梯式结构。所述多个栅电极中的每一个可包括包含阶梯式结构中的阶梯的对应的焊盘单元。焊盘单元中的至少一个可包括基础焊盘和基础焊盘上的突起焊盘。基础焊盘的最上表面可包括与突起焊盘重叠的第一区和不与突起焊盘重叠的第二区。第一区和第二区可在栅电极的延伸方向上排列。

根据本发明构思的一些实施例，提供了半导体存储器装置。一种半导体存储器装置可包括：衬底，其包括衬底的上表面中的单元阵列区和接触区。所述半导体存储器装置可包括在垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠在衬底的上表面上的多个栅电极。所述多个栅电极可在平行于衬底的上表面的延伸方向上从单元阵列区延伸至接触区，并且可包括接触区中的按照阶梯式结构暴露出来的对应的基础焊盘区。所述基础焊盘区可包括与对应的栅电极的上表面共面的对应的上表面。所述半导体存储器装置可包括在竖直方向上从至少一个对应的基础焊盘区延伸的至少一个突起焊盘。所述至少一个突起焊盘的垂直于延伸方向的边可在延伸方向上相对于所述至少一个对应的基础焊盘区的对应的边偏离，以暴露出所述至少一个对应的基础焊盘区的一部分。

根据一些实施例，半导体存储器装置可提高接触区中的可靠性。

附图说明

图1是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体存储器装置的平面图的示意性构造的框图。

图2是根据本发明构思的一些实施例的半导体存储器装置的框图。

图3是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体存储器装置的单元阵列的电路图。