[发明专利]控制设备在审

专利信息
申请号: 201711308949.8 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN108228392A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: A.奥厄;H-W.施密特;M.施赖贝尔 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G06F11/16 分类号: G06F11/16;G06F15/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 方莉;宣力伟
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 计算单元 控制设备 彼此连接 总线系统 内燃机
【权利要求书】:

1.控制设备(10),尤其是用于内燃机的控制设备,所述控制设备具有第一计算单元(12),其特征在于,在所述控制设备(10)中布置有至少一个另一计算单元(14)、尤其是用于扩展所述第一计算单元(12)的计算功率的至少一个另一计算单元,其中所述第一和所述至少一个另一计算单元(12、14)通过至少一个总线系统(16)彼此连接。

2.根据权利要求1所述的控制设备(10),其中,所述第一计算单元(12)是如下微控制器,所述微控制器包括至少一个处理器、至少一个直接访问存储器和/或至少一个只读存储器,并且其中,所述至少一个另一计算单元(14)是微控制器或微处理器或数字的信号处理器或FPGA或ASIC。

3. 根据权利要求1或2所述的控制设备(10),其中,所述另一计算单元(14)具有如下计算功率,所述计算功率在至少约每兆赫兹6 DMips、Dhrystone MIPS、每秒数百万条指令的范围内,优选地在至少约每兆赫兹8 DMips的范围内。

4.根据上述权利要求中任一项所述的控制设备(10),其中,所述第一和所述至少一个另一计算单元(12、14)布置在第一半导体基层(18)上。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的控制设备(10),其中,所述第一计算单元(12)布置在第一半导体基层(18)上,并且其中,所述另一计算单元(14)布置在不同于所述第一半导体基层(18)的另一半导体基层(26)上。

6.根据上述权利要求中任一项所述的控制设备(10),其中,所述第一计算单元(12)和/或所述至少一个另一计算单元(14)分配有至少一个高速缓冲存储器。

7.根据上述权利要求中任一项所述的控制设备(10),其中,所述至少一个另一计算单元(14)分配有只读存储器(44),其中所述只读存储器尤其是被构造为具有串行数据接口的闪速存储器。

8.根据上述权利要求4至7中任一项所述的控制设备(10),其中,设置至少一个具有用于电接触的器件的基层元件(28),而且在所述基层元件(28)的第一表面(36)上布置至少一个所述第一半导体基层(18),其中所述基层元件(28)包括对置于所述第一表面(36)的第二表面(40),所述第二表面被设置用于与载体板接触。

9.根据权利要求8所述的控制设备(10),其中,至少一个直接访问存储器(32)布置在所述基层元件(28)上,用于连接所述第一和/或所述另一计算单元。

10.根据上述权利要求中任一项所述的控制设备(10),其中,存储器-接口(34、38)被设置用于连接所述至少一个另一计算单元(14)与直接访问存储器。

11.根据权利要求10所述的控制设备(10),其中,所述存储器-接口为了连接所述至少一个另一计算单元(14)与直接访问存储器而在所述基层元件(28)的第一表面(36)上被引向外,而且所述存储器-接口尤其是DDR存储器-接口。

12.根据上述权利要求中任一项所述的控制设备(10),其中,导热装置(46)、尤其是导热片或导热垫被设置用于导出所述计算单元(12、14)中的至少一个计算单元的热损耗功率。

13.根据权利要求12所述的控制设备(10),其中,所述导热装置(46)与所述计算单元(12、14)中的至少一个计算单元以及壳体部分(48)热接触,使得所述至少一个计算单元(12、14)的热损耗功率能通过所述壳体部分(48)被导出。

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