[发明专利]使用含硅垫层的方法在审

专利信息
申请号: 201711309420.8 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN108227383A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 崔莉;P·J·拉博姆;C·A·卡特勒;S·M·科莱;S·山田;J·F·卡梅伦;W·威廉姆斯 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
主分类号: G03F7/075 分类号: G03F7/075;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋;胡嘉倩
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 缩合 聚合物 不饱和单体 垫层组合物 聚合物主链 电子装置 聚合单元 水解产物 硅单体 缩合物 侧位 硅垫 剥离 制造
【权利要求书】:

1.一种组合物,包含:(a)一种或多种溶剂;以及(b)一种或多种聚合物的缩合物和/或水解产物,所述聚合物包含(i)一种或多种具有可缩合含硅部分的第一不饱和单体作为聚合单元,其中所述可缩合含硅部分位于所述聚合物主链的侧位,和(ii)一种或多种可缩合硅单体,其中所述一种或多种聚合物不含具有下式取代基的侧位芳香族环

其中各Rx独立地是H或1至15个碳的烷基,其中各Rx可以一起形成脂肪族环;Lg是H、具有1至10个碳的脂肪族单价烃或单价芳香基;a1=0或1;并且*表示与所述芳香族环的连接点。

2.根据权利要求1所述的组合物,其中至少一个可缩合硅单体具有式(8)

Si(R50)p(X)4-p (8)

其中p是0到3的整数;各R50独立地选自C1-30烃基部分和被取代的C1-30烃基部分;且各X独立地选自卤基、C1-10烷氧基、-OH、-O-C(O)-R50和-(O-Si(R51)2)p2-X1;X1独立地选自卤基、C1-10烷氧基、-OH、-O-C(O)-R50;各R51独立地选自R50和X;且p2是1到10的整数。

3.根据权利要求1所述的组合物,其中所述可缩合含硅部分具有下式

其中L是单共价键或二价连接基团;各R1独立地选自H、C1-10烷基、C2-20烯基、C5-20芳基和C6-20芳烷基;各Y1独立地选自卤素、C1-10烷氧基、C5-10芳氧基、C1-10羧基;b是0到2的整数;且*表示与所述聚合物主链的连接点。

4.根据权利要求3所述的组合物,其中L是二价连接基团。

5.根据权利要求4所述的组合物,其中所述二价连接基团包含一个或多个选自氧和硅的杂原子。

6.根据权利要求4所述的组合物,其中所述二价连接基团是具有1到20个碳原子且任选地具有一个或多个杂原子的有机基团。

7.根据权利要求3所述的组合物,其中所述二价连接基团具有式-C(=O)-O-L1-,其中L1是单共价键或具有1到20个碳原子的有机基团。

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