[发明专利]一种拼接生长单晶金刚石的方法及系统在审
| 申请号： | 201711310411.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108103570A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 武迪;朱瑞;陈贞君;郑大平;徐元成;杨明 | 申请（专利权）人： | 湖北碳六科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长单晶金刚石 籽晶 拼接 生长 单晶金刚石 金刚石 等离子体CVD设备 制备技术领域 大尺寸单晶 本底真空 含碳气体 瓶颈问题 输入能量 氢气 原有的 甲烷 放电 二氧化碳 丙酮 腔体 合成 | ||
1.一种拼接生长单晶金刚石的方法，其特征在于，所述拼接生长单晶金刚石的方法采用两个尺寸、厚度相同的单晶金刚石片进行固定，然后同时生长，获得大尺寸单晶金刚石。
2.如权利要求1所述的拼接生长单晶金刚石的方法，其特征在于，所述拼接生长单晶金刚石的方法具体包括：
选取籽晶，选择2片～4片长宽、厚度一致，颜色、晶体取向相同的单晶金刚石片作为籽晶，采用真空钎焊将单晶金刚石片钎焊到表面光滑的钼片上，籽晶之间紧密连接；
籽晶清洁处理，采用丙酮、酒精液体清洗籽晶表面的有机物杂质；然后60℃烘干；
将籽晶放置入等离子体CVD设备腔体中，然后抽本底真空至1*10
通入甲烷或丙酮或二氧化碳气体进行生长，籽晶温度在800℃～1000℃，进行生长1小时～100小时；
生长结束后取出金刚石片，采用激光切割进行处理，切除金刚石四周多晶，然后进行纵向分切，让外延出的大尺寸单晶片与籽晶分离，之后进行双面抛光，获得双倍尺寸的单晶金刚石外延片。
3.如权利要求2所述的拼接生长单晶金刚石的方法，其特征在于，
选取的籽晶的晶体取向为100，取向偏差0度～10度；相邻籽晶之间间距在0微米～100微米。
4.一种如权利要求1所述的拼接生长单晶金刚石的方法的拼接生长单晶金刚石的系统。
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