[发明专利]显示面板、像素隔离墙及其制备方法有效
| 申请号： | 201711311091.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108091580B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王辉锋;甘静 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 11348 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素隔离 亲液层 疏液层 电极基板 显示面板 制备 平板显示技术 亚像素单元 有机功能层 隔离层 成膜 疏液 隔离 | ||
1.一种像素隔离墙，由光刻胶经过光刻工艺形成在电极基板上， 其特征在于，包括：
亲液层，用于设置在电极基板上；
第一疏液层，设置于所述亲液层远离所述电极基板的一侧，其中，所述第一疏液层的材料为磁性疏液材料；
隔离层，设置于所述第一疏液层远离所述亲液层的一侧。
2.根据权利要求1所述的像素隔离墙，其特征在于，
所述第一疏液层的材料为接枝有四氧化三铁微球的氟树脂。
3.根据权利要求2所述的像素隔离墙，其特征在于，
所述隔离层的材料为亲液材料。
4.根据权利要求1所述的像素隔离墙，其特征在于，还包括：
第二疏液层，所述第二疏液层设置于所述隔离层远离所述第一疏液层的一侧。
5.一种显示面板，其特征在于，包括：
像素隔离层，所述像素隔离层包括多个如权利要求1至4中任一项所述的像素隔离墙。
6.一种像素隔离墙的制备方法，用于含有亲液材料和磁性疏液材料的光刻胶，其特征在于，包括：
将所述光刻胶在电极基板的一侧形成光刻胶层；
通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处；
对调节后的所述光刻胶层进行曝光、显影工艺，形成像素隔离墙。
7.根据权利要求6所述的像素隔离墙的制备方法，其特征在于，
所述通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处，还包括：
在所述光刻胶层进行前烘的过程中，通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处。
8.根据权利要求6所述的像素隔离墙的制备方法，其特征在于，
所述通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处，还包括：
通过磁场将所述光刻胶层预设图案区域内光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处。
9.根据权利要求6所述的像素隔离墙的制备方法，其特征在于，
所述磁场由电磁磁板形成。
10.根据权利要求6所述的像素隔离墙的制备方法，其特征在于，
所述光刻胶层的高度为1um-5um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
