[发明专利]芯片级封装多面发光LED及其封装方法、背光模组

权利要求书

1.一种芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，包括步骤：

S1、将发光转换胶设置包覆在LED芯片的正面出光面和侧面出光面；

S2、在预设第一固化条件下对所述发光转换胶进行固化处理得到第一状态的发光转换胶层；

S3、在所述LED芯片正面出光面上处于所述第一状态的发光转换胶层上设置反射胶；

S4、在预设第二固化条件下对所述第一状态的发光转换胶层以及所述反射胶进行固化处理，得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层。

2.如权利要求1所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，还包括：

S11、将所述LED芯片按设定间隔排列在耐高温膜上；

在所述步骤S4之后，还包括步骤：

S41、沿相邻LED芯片之间的间隔进行等距切割；

S42、去除所述LED芯片上的所述耐高温膜。

3.如权利要求1所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，所述得到处于第二状态的发光转换胶层和反射胶层之后，还包括步骤：

按照设定图案对反射胶层进行切割得到开窗结构，使得所述LED芯片正面出光面发出的部分光透过所述开窗结构向外发射。

4.如权利要求3所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，对所述反射胶层切割的厚度小于或等于所述反射胶层的厚度。

5.如权利要求1-4任一项所述的多面发光LED封装方法，其特征在于，所述第一状态为未完全固化状态，所述第一固化条件包括：

烘烤温度为60℃至120℃，烘烤时间为10分钟至60分钟。

6.如权利要求1-4任一项所述的芯片级封装多面发光LED的封装方法，其特征在于，所述第二状态为完全固化状态，所述第二固化条件包括：

烘烤温度为130℃至170℃，烘烤时间为80分钟至240分钟。

7.一种芯片级封装多面发光LED，其特征在于，包括LED芯片，设置在所述LED芯片正面出光面和侧面出光面上的发光转换胶层，以及设置在所述LED芯片正面出光面上的发光转换胶层之上的反射胶层，所述LED芯片正面出光面发出的至少部分光通过所述发光转换胶层之后被所述反射胶层反射回所述发光转换胶层，并从所述LED芯片侧面出光面的发光转换胶层发射出去。

8.如权利要求7所述的芯片级封装多面发光LED，其特征在于，所述反射胶层之上还设有开窗结构，所述LED芯片正面出光面发出的部分光透过所述开窗结构向外发射。

9.如权利要求7或8所述的芯片级封装多面发光LED，其特征在于，所述反射胶层为包含白色颗粒的硅树脂层。

10.一种背光模组，其特征在于，包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，所述LED组件由如权利要求7-9任一项所述的多面发光LED组成。