[发明专利]一种磁隧道结及其制造方法有效
| 申请号： | 201711311648.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108091359B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟;崔建丽 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 及其 制造 方法 | ||
1.一种磁隧道结制造方法，其特征在于，
包括以下步骤：
第一介质孔形成步骤，在底电极上形成第一钝化介质层，并在所述第一钝化介质层中形成第一介质孔；
第一磁性层形成步骤，在所述第一介质孔中形成第一磁性层，使所述第一磁性层的顶面与所述第一钝化介质层的顶面处于同一平面；
第二介质孔形成步骤，在所述第一磁性层上形成第二钝化介质层，并在所述第二钝化介质层中形成第二介质孔；
隧穿绝缘层及第二磁性层形成步骤，在所述第二介质孔中依次形成隧穿绝缘层和第二磁性层，其中，所述隧穿绝缘层覆盖所述第二介质孔的底部和侧壁；以及
顶电极形成步骤，在所述第二磁性层上形成顶电极。
2.根据权利要求1所述的磁隧道结制造方法，其特征在于，
所述第一介质孔为陡直形孔。
3.根据权利要求1所述的磁隧道结制造方法，其特征在于，
所述第一介质孔的侧壁与底面的夹角角度在90°±15°之间。
4.根据权利要求1所述的磁隧道结制造方法，其特征在于，
所述第一介质孔的光刻孔径直径为10～200nm。
5.根据权利要求1所述的磁隧道结制造方法，其特征在于，
所述第二介质孔的光刻孔径与所述第一介质孔的光刻孔径的直径相同。
6.根据权利要求1所述的磁隧道结制造方法，其特征在于，
所述第一钝化介质层的厚度为40～50nm，所述第二钝化介质层的厚度为40～50nm。
7.一种磁隧道结，其特征在于，
包括：
底电极；
第一钝化介质层，形成于所述底电极上，并具有第一介质孔；
第一磁性层，形成于所述第一介质孔中，所述第一磁性层的顶面与所述第一钝化介质层的顶面处于同一平面；
第二钝化介质层，位于所述第一磁性层上，并具有第二介质孔；
隧穿绝缘层及第二磁性层，依次形成于所述第二介质孔中，其中，所述隧穿绝缘层覆盖所述第二介质孔的底部和侧壁；以及
顶电极，位于所述第二磁性层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏鲁汶仪器有限公司，未经江苏鲁汶仪器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711311648.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁存储器和存储器系统
- 下一篇：DRAM电路、冗余重写电路及重写方法
