[发明专利]一种低温共烧陶瓷及其制备方法

说明书

本发明提供了一种低温共烧陶瓷及其制备方法，采用如下原料制备：CaZrO3 40‑60重量份、滑石6‑20重量份、氢氧化镁8‑16重量份、BaO2‑8重量份、纳米ZnO1‑9重量份、纳米TiO25‑15重量份、Nd2O30.1‑1重量份、Eu2O3 0.2‑2重量份。与现有技术相比，本发明以CaZrO3、滑石、氢氧化镁、BaO、纳米ZnO、纳米TiO2、Nd2O3为原料，各个成分相互作用、相互影响，提高了制备的低温共烧陶瓷的热导率。实验结果表明，本发明制备的低温共烧陶瓷的热导率为7.5W/mK，介电常数为6.9(1MHz)，热膨胀系数为4.2ppm/℃。

技术领域

本发明涉及陶瓷技术领域，尤其涉及一种低温共烧陶瓷及其制备方法。

背景技术

近年来，在半导体技术的飞速发展带动下，电子元器件不断向小型化、集成化和高频化发展。随着SMT技术的飞速发展，极大的促进了电子设备以及电子元器件的小型化、微型化、集成化和片式化。所使用的PTC材料必须具备在低温烧结条件下保持良好的PTC效应和较高的耐电压，较低的电阻率，因此，研究制备能在低温下进行烧结且保持高性能PTC特性的陶瓷组合物成为技术的关键。

现有技术中，低温共烧陶瓷材料已经得到了广泛的报道，例如，申请号为201310200524.0的中国专利文献报道了一种用作基板材料的低温共烧陶瓷。该陶瓷基板材料的原料配方组成为ZnO、H3BO3、CaCO3和TiO2，烧结后陶瓷基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3，次晶相为CaB2O4和Zn2TiO4。该陶瓷基板材料的制备方法为：先由H3BO3与ZnO预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再由CaCO3与TiO2预烧合成CaTiO3粉体。然后将合成好的3ZnO·B2O3粉体和CaTiO3粉体混合，其中CaTiO3质量占总质量的百分比为3％-12％，即得到低温共烧陶瓷基板材料粉料。该粉料经加入去离子水进行球磨、烘干、造粒和烧结可得到性能优异的陶瓷基板材料。申请号为201410772312.4的中国专利文献报道了一种发光低温共烧LED陶瓷粉，由以下份数的组分煅烧组成：60-80份纳米氧化钙，80-100份氧化铝，50-65份氢氧化铝，30-45份氢氧化镁，20-25份四水硝酸钙，12-15份四乙氧基硅烷，10-18份甲基三乙氧基硅烷，8-10份硅酸钠，5-6份激发剂，4-8份氧化镝，3-5份卤化银，3-5份氯化银。

但是，上述报道的低温共烧陶瓷的热导率较低。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种低温共烧陶瓷及其制备方法，热导率较高。