[发明专利]一种双稳态电流体显示下基板及包括其的显示器件有效
申请号: | 201711313104.8 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN108196361B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 白鹏飞;胡晶晶;唐彪;周国富 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明 |
地址: | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双稳态 流体 显示 下基板 包括 器件 | ||
1.一种双稳态电流体显示下基板,其特征在于,包括下支撑板和依次设置于所述下支撑板上的导电层、疏水绝缘层和像素墙,所述像素墙围成像素格阵列,所述各个像素格内的导电层包括第一电极区、第二电极区和设于两者之间的无电极区,所述疏水绝缘层上对应各个所述无电极区的位置设有亲水围堰,所述亲水围堰将每个像素格分成对应所述第一电极区的第一区域、对应所述第二电极区的第二区域,所述亲水围堰包括至少两个不相连的围堰体,所述围堰体之间形成一个间隙,至少一个所述间隙对应的无电极区呈弧形带状,所述弧形带状的无电极区向所述第一电极区拱起。
2.根据权利要求1所述的双稳态电流体显示下基板,其特征在于,所述第一电极区的面积不大于所述像素格面积的三分之一。
3.根据权利要求1所述的双稳态电流体显示下基板,其特征在于,所述弧形带状的无电极区的长度≤30μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的双稳态电流体显示下基板,其特征在于,所述弧形带状的无电极区的宽度为5-20μm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的双稳态电流体显示下基板,其特征在于,所述亲水围堰包括不相连的围堰体一和围堰体二,所述围堰体一和所述围堰体二之间形成一个间隙。
6.根据权利要求1-3任一项所述的双稳态电流体显示下基板,其特征在于,所述亲水围堰的材料与像素墙的材料相同。
7.根据权利要求1-3任一项所述的双稳态电流体显示下基板,其特征在于,所述围堰体的宽度为1-50μm,所述围堰体的高度为200nm-50μm。
8.一种双稳态电流体显示器件,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的双稳态电流体显示下基板。
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