[发明专利]日盲紫外探测器、其制作方法与应用

权利要求书

1.一种日盲紫外探测器的制作方法，其特征在于包括：

提供宽带系半导体材料层，

对所述宽带系半导体材料层进行微加工，形成阵列排布的复数个微结构体，获得阵列结构，其包括复数个间隔设置的微结构体；

将高迁移率薄膜转移到所述阵列结构的一端面上，或者，直接在所述阵列结构的一端面上生长形成所述高迁移率薄膜，并使所述高迁移率薄膜与阵列结构配合形成肖特基异质结；以及

在所述高迁移率薄膜上设置电极，并使所述电极与高迁移率薄膜电连接；

所述日盲紫外探测器包括：

阵列结构，其包括复数个间隔设置的微结构体，所述微结构体由宽带隙半导体材料形成，所述宽带系半导体材料包括氧化镓，所述宽带隙半导体材料的带隙为4.2~4.9eV，所述微结构体包括纳米柱、纳米台、纳米锥、纳米线或纳米带，相邻微结构体的距离为1nm~1mm，所述微结构体的高度为1nm~1mm，直径为1nm~1mm；

高迁移率薄膜，其与所述阵列结构的一端面电性接触，并与所述阵列结构配合形成肖特基异质结，所述高迁移率薄膜包括石墨烯膜，所述高迁移率薄膜的电子迁移率大于1400cm²/Vs，所述石墨烯膜的厚度为0.01nm~1mm，透光率在90%以上；在所述阵列结构中，各微结构体均以其一端与高迁移率薄膜电性接触；以及

电极，其与所述高迁移率薄膜电连接，所述电极为具有叉指结构的电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：在衬底上外延生长形成所述宽带系半导体材料层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于还包括衬底，所述阵列结构设置在所述衬底上。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述衬底的材质选自硅、蓝宝石、氮化镓或砷化镓。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：至少采用金属沉积技术在所述高迁移率薄膜上制作形成所述电极；所述金属沉积技术为电子束蒸发或溅射技术。

6.一种光探测方法，其特征在于包括：

提供由权利要求1-5中任一项所述方法制备的日盲紫外探测器；

将所述日盲紫外探测器的电极接入检测电路；以及

以待检测的光照射所述日盲紫外探测器的受光面。