[发明专利]射频功率放大电路及其超带宽输出匹配电路

权利要求书

1.一种射频功率放大器的输出匹配电路，其特征在于，其包括：

射频输入端；

射频输出端；

依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端的第一电感、第二电容、第三电容、第四电感；

耦接于第一电感的与第二电容耦接的连接端和接地端之间的第一电容；

耦接于第二电容的与第三电容耦接的连接端和接地端之间的第二电感；

耦接于第三电容的与第四电感耦接的连接端和接地端之间的第三电感。

2.根据权利要求1所述的输出匹配电路，其特征在于，

射频输入端的输出电阻为第一预定值；

通过第一电感和第一电容将第一电感和第一电容的连接节点的输出电阻匹配至第二预定值；

通过第二电感和第二电容将第二电感和第二电容的连接节点的输出电阻匹配至第三预定值；

通过第三电感、第三电容、第四电感将第三电感和第三电容的连接节点的输出电阻匹配至50欧姆，

第一预定值小于第二预定值，第二预定值小于第三预定值，第三预定值小于50欧姆。

3.根据权利要求2所述的输出匹配电路，其特征在于，第一预定值的取值范围为2-5欧姆；第二预定值的取值范围为7-10欧姆；第三预定值的取值范围为18-23欧姆。

4.根据权利要求1所述的输出匹配电路，其特征在于，第一电感和第一电容组成一个低通滤波器，第二电感和第二电容组成一个高通滤波器，第三电感和第三电容组成一个高通滤波器，第四电感能够增大频带内的平坦度，第四电感的取值取决于选择的不同的频带。

5.一种射频功率放大电路，其特征在于，其包括：

射频功率放大器；

耦接于所述射频功率放大器的输出端的输出匹配电路，

所述输出匹配电路为权利要求1-4任一所述的输出匹配电路，其中输出匹配电路的射频输入端与所述射频功率放大器的射频输出端耦接。

6.根据权利要求5所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大器，其包括：

射频输入端；

射频输出端；

依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的多级射频功率放大单元和输出滤波电路，每级射频功率放大单元均包括一双极型晶体管；

耦接于初级射频功率放大单元的双极型晶体管的集电极和基极之间的反馈电路，该反馈电路包括有模式控制端，通过调整模式控制端的电压值来调整所述反馈电路的阻抗状态，进而调整所述射频功率放大器工作在不同工作模式下。

7.根据权利要求6所述的射频功率放大电路，其特征在于，每级射频功率放大单元还包括电容、电感、偏置电路，电容的一端耦接于上一级射频功率放大单元的输出端或射频输入端，所述电容的另一端耦接于本级射频功率放大单元的双极型晶体管的基极，双极型晶体管的集电极通过所述电感耦接于电源端，双极型晶体管的发射极耦接至地，所述偏置电路的输出端耦接于本级射频功率放大单元的双极型晶体管的基极，并给所述双极型晶体管的基极提供偏置电压。

8.根据权利要求7所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述偏置电路包括偏置双极型晶体管、第四电阻、第五电阻、第二二极管和第三二极管，其中第四电阻、第二二极管和第三二极管依次串联于参考电压和接地端之间，其中第二二极管的阳极与第四电阻相连，第三二极管的阳极与第二二极管的阴极相连，偏置双极型晶体管的基极耦接于第四电阻和一个二极管的阳极之间，偏置双极型晶体管的集电极与所述参考电压相连，所述偏置双极型晶体管的发射极通过第五电阻耦接于接地端，所述偏置双极型晶体管的发射极提供所述偏置电压。