[发明专利]电气电子部件用复合材料以及使用其的电气电子部件在审
申请号: | 201711314752.5 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN109910398A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 厉雷洲 | 申请(专利权)人: | 重庆国彪电气有限公司 |
主分类号: | B32B15/08 | 分类号: | B32B15/08;B32B15/20;B32B7/08;B32B27/28;B32B33/00 |
代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人: | 刘立春 |
地址: | 402260 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电气电子部件 复合材料 金属基体材料 冲压加工 绝缘被膜 铜系金属材料 材料端部 材料使用 层绝缘 金属层 被膜 合金 剥离 | ||
本发明提供一种电气电子部件用复合材料,该复合材料作为冲压加工而形成的电气电子部件的材料使用,且在例如铜系金属材料的金属基体材料上的至少一部分实质上设置有1层绝缘被膜,其中,在上述金属基体材料与上述绝缘被膜之间存在有由Ni或Ni‑Zn合金形成的金属层,并使得上述冲压加工之后的材料端部的上述绝缘被膜的剥离宽度小于10μm。
技术领域
本发明涉及一种在金属基体材料上设置有绝缘被膜的电气电子部件用复合材料、以及使用该复合材料的电气电子部件。
背景技术
在金属基体材料上设置有电绝缘被膜(在本发明中,也简称为“绝缘被膜”)的带有绝缘被膜的金属材料已被用作例如电路基板等中的屏蔽(Shield)材料(例如,参照专利文献1)。该金属材料适用于框体、外壳(case)、盖罩(cover)、盖体(cap)等,尤其适用于元件内置用低背化(使内部空间的高度进一步降低)框体。
另外,作为提高带有绝缘被膜的金属材料中金属基体材料与绝缘被膜的密合性的方法,已知有在金属基体材料的表面涂布偶联剂的方法(例如,参照专利文献2)、以及在金属基体材料的表面形成具有树枝状结晶的镀敷层的方法(例如,参照专利文献3)。
[专利文献1]日本特开2004-197224号公报
[专利文献2]日本专利第2802402号公报
[专利文献3]日本特开平5-245432号公报
发明要解决的问题
将金属基体材料上设置有绝缘被膜的金属材料作为上述电气电子部件用材料使用时,由于该材料在金属基体材料上设置有绝缘被膜,因而通过对金属基体材料和绝缘被膜在包含这两者界面在内的部位实施冲压加工等加工而形成连接器接点等,能够以窄间距配置上述连接器接点,从而实现各种应用。
然而,对于以往的材料而言,在对包含金属基体材料与绝缘被膜的界面在内的部位实施冲压加工等加工时,有时会在进行加工的部位的金属基体材料与绝缘被膜之间产生几微米~几十微米左右的微小间隙。图2的立体图概略地示出了该情况。在图2中,2为电气电子部件、21为金属基体材料、22为绝缘被膜,在金属基体材料21的冲压加工面21a附近,在金属基体材料21与绝缘被膜22之间形成有间隙23。当上述冲压加工时的余隙(clearance)越大(例如相对于上述金属基体材料的厚度在5%以上时),则上述倾向越强烈。由于减少上述冲压加工时的余隙实际上存在限度,因此,也可以说上述被加工体越微细化(例如,上述金属基体材料的厚度为0.1mm以下的被加工体、或者冲压加工的宽度为0.1mm以下的被加工体),则上述倾向越强烈。
当处于这样的状态时,绝缘被膜22会因冲压加工等的经年变化等而完全从金属基体材料21上剥离,从而导致在金属基体材料21上设置绝缘被膜22也变得毫无意义。另一方面,在微细加工后再附上绝缘被膜极耗时间,致使产品的成本增加,因而并不实用。并且,在使用所形成的电气电子部件的金属露出面(例如冲压加工面21a)作为连接器接点等时,虽然也可以考虑通过镀敷等在金属露出面(例如冲压加工面21a)上后附上金属层,但当浸渍于镀敷液中时,有可能会因镀敷液从间隙23浸入而加速绝缘被膜22从金属基体材料21上剥离。
前述问题有时虽可通过选择聚酰亚胺作为绝缘被膜来加以解决,但聚酰亚胺不仅价格昂贵,而且在多数情况下为了形成被膜需要进行长时间的处理,因此在经济上并不优选。另外,冲孔加工性虽然良好,但是由于被膜的伸长率小,所以大多缺乏弯曲加工性,并不适于被加工体需要进行微细弯曲加工的情况。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆国彪电气有限公司,未经重庆国彪电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711314752.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。