[发明专利]共模滤波器

权利要求书

1.一种共模滤波器，包括：

滤波器部和设置在所述滤波器部上的静电保护部，

其中，所述静电保护部包括：

第一放电电极和第二放电电极，彼此分开；

放电层，设置在所述第一放电电极和所述第二放电电极之间，并且覆盖所述第一放电电极的上表面的一部分和所述第二放电电极的上表面的一部分；以及

第一绝缘层，覆盖所述放电层的上表面，并包括扁平的第一绝缘颗粒和球形的第二绝缘颗粒。

2.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述第一绝缘颗粒的c/a等于或大于2并且所述第二绝缘颗粒的c/a为1至1.99，其中，a为所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒的短轴的长度，c为所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒的长轴的长度。

3.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，在所述第一绝缘层中，相对于所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒的总含量包括等于或大于40vol％的量的所述第一绝缘颗粒。

4.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，在所述第一绝缘层中，相对于所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒的总含量包括等于或小于80vol％的量的所述第一绝缘颗粒。

5.根据权利要求1所述的共模滤波器，所述共模滤波器还包括设置在所述第一绝缘层上的磁性覆盖层。

6.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，

所述滤波器部还包括设置在所述滤波器部和所述静电保护部之间的线圈磁性层，并且

所述静电保护部包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述放电层以及所述第一放电电极和所述第二放电电极下方，并包括扁平的所述第一绝缘颗粒和球形的所述第二绝缘颗粒。

7.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒由SiO₂形成。

8.根据权利要求6所述的共模滤波器，其中，所述第一绝缘层覆盖所述放电层的上表面和侧表面，并且所述第二绝缘层覆盖所述放电层的下表面。

9.根据权利要求5所述的共模滤波器，其中，所述磁性覆盖层是铁氧体片。

10.根据权利要求6所述的共模滤波器，其中，所述线圈磁性层是铁氧体片。

11.一种共模滤波器，包括：

滤波器部和设置在所述滤波器部上的静电保护部，

其中，所述静电保护部包括：

第一放电电极和第二放电电极，彼此分开；

放电层，设置在所述第一放电电极和所述第二放电电极之间，并且覆盖所述第一放电电极的上表面的一部分和所述第二放电电极的上表面的一部分；以及

绝缘层，设置在所述放电层以及所述第一放电电极和所述第二放电电极下方，并包括扁平的第一绝缘颗粒和球形的第二绝缘颗粒。

12.根据权利要求11所述的共模滤波器，其中，所述第一绝缘颗粒的c/a等于或大于2并且所述第二绝缘颗粒的c/a为1至1.99，其中，a为所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒的短轴的长度，c为所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒的长轴的长度。

13.根据权利要求11所述的共模滤波器，其中，在所述绝缘层中，相对于所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒的总含量包括等于或大于40vol％的量的所述第一绝缘颗粒。

14.根据权利要求11所述的共模滤波器，其中，在所述绝缘层中，相对于所述第一绝缘颗粒和所述第二绝缘颗粒的总含量包括等于或小于80vol％的量的所述第一绝缘颗粒。

15.根据权利要求11所述的共模滤波器，其中，所述滤波器部还包括设置在所述滤波器部和所述绝缘层之间的线圈磁性层。

16.根据权利要求15所述的共模滤波器，其中，所述线圈磁性层是铁氧体片。