[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器，其特征在于，该光电探测器为多层薄膜结构，包括Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层、量子点光敏介质层以及源极与漏极；所述Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层和量子点光敏介质层从下至上依次层叠的；所述源极与漏极分别位于量子点光敏介质层左右两侧，其中，所述Si衬底层为重掺杂P型Si或N型Si基片；所述的第一绝缘层为SiO₂薄膜；所述第二绝缘层为AlN薄膜；所述量子点光敏介质层材料为钙钛矿；所述源极与漏极的电极材料为同一种金属，所述第一绝缘层厚度为200-300 nm；所述第二绝缘层厚度为50-70 nm；所述的石墨烯沟道层为单层或多层石墨烯薄膜，层数为1-6层，厚度为0.33-1.98 nm；所述量子点光敏介质层厚度为30-60 nm，量子点粒径为10-30 nm；所述的源极与漏极厚度均为180-220 nm，源极与漏极之间的沟道宽度为10-60 μm，所述金属为Al、Cu、Au或Pt。