[发明专利]黑色氧化锆陶瓷、黑色氧化锆陶瓷壳体及其制备方法

权利要求书

1.一种黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：

提供黑色氧化锆陶瓷基片；

在所述黑色氧化锆陶瓷基片的第一表面制备形成离子注入层；

在所述离子注入层的表面制备形成光学镀膜层，所述光学镀膜层的光学曲线与所述氧化锆陶瓷基片的反射光学曲线形状相一致且具有一定的反射率，以提高所述黑色氧化锆陶瓷基片在可见光范围内的透过率，得到黑色氧化锆陶瓷。

2.根据权利要求1所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，在所述黑色氧化锆陶瓷基片的第一表面制备形成离子注入层，包括：

在所述黑色氧化锆陶瓷基片的第一表面采用真空离子镀注入等离子体，以形成所述离子注入层。

3.根据权利要求2所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，采用真空离子镀注以10^-5Pa～10^-1Pa的真空度注入所述等离子体。

4.根据权利要求2所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述等离子体包括氢离子体、碳离子体、硼离子体以及硅离子体中的任意一种。

5.根据权利要求2所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述黑色氧化锆陶瓷基片的表面形成有微孔，至少部分所述等离子体填充于所述黑色氧化锆陶瓷基片的第一表面的所述微孔内。

6.根据权利要求1所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述离子注入层的厚度为10nm～300nm。

7.根据权利要求1所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，在所述离子注入层的表面制备形成光学镀膜层，包括：

在所述离子注入层的表面采用真空镀膜法沉积制备所述光学镀膜层。

8.根据权利要求7所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述真空镀膜法包括电子束蒸发镀、反应磁控溅射镀、热丝蒸发镀以及离子镀中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，在所述离子注入层的表面制备形成光学镀膜层之后，还包括：对黑色氧化锆陶瓷进行退火处理。

10.根据权利要求9所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述退火处理在空气或氮气的保护气氛中进行，退火处理温度为700℃～1200℃，退火处理时间为30min～60min。

11.根据权利要求1所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述光学镀膜层为半透半反型膜层。

12.根据权利要求11所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述光学镀膜层的透过率和反射率的比例为1/9～9/1。

13.根据权利要求1所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述光学镀膜层的厚度为0.5μm～5μm。

14.根据权利要求1所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，所述光学镀膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氮化硅、锆酸镧以及氧化铌中的任意一种。

15.一种黑色氧化锆陶瓷壳体的制备方法，其特征在于，包括：

根据权利要求1至14中任一项所述的黑色氧化锆陶瓷的制备方法制备得到黑色氧化锆陶瓷；

将所述黑色氧化锆陶瓷进行加工，得到黑色氧化锆陶瓷壳体。