[发明专利]一种多磁场回路磁体组件结构

权利要求书

1.一种多磁场回路磁体组件结构，包括磁轭(1)、磁瓦(2)、极靴(3)及小磁瓦(4)，所述磁轭(1)呈圆环形，所述磁轭(1)的内壳体均匀周向布设有所述磁瓦(2)，相邻两块所述磁瓦(2)留有第一空隙(5)，其特征在于：所述磁瓦(2)的内表面铺设有与所述磁瓦(2)的形状相配合的所述极靴(3)，相邻所述极靴(3)之间留有第二空隙(6)，相邻所述极靴(3)的两侧的所述第二空隙(6)之间安装有所述小磁瓦(4)，相邻所述小磁瓦(4)的两侧与所述极靴(3)的两侧互相拼接紧固并形成外张力压紧所述磁瓦(2)在所述磁轭(1)的内壳体上，相邻的所述磁瓦(2)的内表面的磁极为相反的磁极，所述小磁瓦(4)的左、右两侧端面的磁极与相邻所述磁瓦(2)的表面磁极相同。

2.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：所述磁瓦(2)的两侧端面中部为第一平面(21)，所述磁瓦(2)的内表面及外表面均为弧度相同的扇形，所述第一平面(21)与所述磁瓦(2)的外表面为圆弧面逐渐过度，所述第一平面(21)向所述磁瓦(2)的内表面方向设有向内走向逐渐倾斜的第一斜面(22)，所述第一斜面(22)向所述磁瓦(2)的内表面方向设有第一小磁瓦接触面(23)，所述第一小磁瓦接触面(23)及所述第一平面(21)不在同一平面上，所述极靴(3)的左、右两侧设有凸台(31)，所述小磁瓦(4)的左、右两侧设有与所述凸台(31)对应拼接的凹槽(41)，所述小磁瓦(4)的两侧端面的后半段与所述第一小磁瓦接触面(23)互相接触紧压。

3.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：所述极靴(3)由形状一致的硅钢片从下到上叠装而成。

4.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：各个所述第一空隙(5)及所述第二空隙(6)的距离相等。

5.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：所述磁轭(1)的内壳体均匀周向布设的所述磁瓦(2)的数量为14个。

6.根据权利要求1或2所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：相邻的所述磁瓦(2)还可以通过安装卡板，所述卡板的左、右两侧端面分别与相邻的两面所述第一小磁瓦接触面(23)互相抵持，所述卡板的背面与所述磁轭(1)内壳体的表面弧度一致，所述卡板的背面与所述磁轭(1)内壳体的表面互相接触。

7.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：所述极靴(3)及所述小磁瓦(4)的内表面的均为弧度相同的扇形。