[发明专利]用于双重图案化的掩模版的制作方法及双重图案化方法有效
申请号: | 201711317600.0 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN109917616B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 杨青 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张海强 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 双重 图案 模版 制作方法 方法 | ||
1.一种用于双重图案化的掩模版的制作方法,其特征在于,包括:
根据目标图形布局用于第一图案化的第一掩模版和用于第二图案化的第二掩模版,所述第一掩模版具有第一掩模图形,所述第二掩模版具有第二掩模图形,所述第一图案化在所述第二图案化之前进行;
在所述第一掩模版的第一掩模图形的间隙处设置亚分辨率辅助特征SRAF图形;
其中,所述SRAF图形被所述第二掩模图形覆盖,并且,所述SRAF图形的尺寸被配置为使得所述SRAF图形在所述第一图案化中能够被转移;
其中,在所述第一图案化后,待刻蚀材料层与所述第一掩模图形对应的部分被去除以形成贯穿所述待刻蚀材料层的第一开口,
在所述第二图案化后,所述待刻蚀材料层与所述第二掩模图形对应的部分被去除以形成贯穿所述待刻蚀材料层的第二开口,
所述目标图形包括所述第一开口和所述第二开口。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述SRAF图形的尺寸与所述第二掩模图形的尺寸相同。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述SRAF图形包括多个SRAF图形。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述SRAF图形的形状包括矩形或L形。
5.一种双重图案化方法,其特征在于,包括:
利用第一掩模版对待刻蚀材料层进行第一图案化,所述第一掩模版具有第一掩模图形和在所述第一掩模图形的间隙处设置的SRAF图形,所述SRAF图形的尺寸被配置为使得所述SRAF图形在所述第一图案化中能够被转移到所述待刻蚀材料层,其中,在所述第一图案化后,所述待刻蚀材料层与所述第一掩模图形对应的部分被去除以形成贯穿所述待刻蚀材料层的第一开口;
在所述第一图案化后,利用第二掩模版对所述待刻蚀材料层进行第二图案化,所述第二掩模版具有第二掩模图形,并且所述SRAF图形被所述第二掩模图形覆盖,在所述第二图案化后,所述待刻蚀材料层与所述第二掩模图形对应的部分被去除以形成贯穿所述待刻蚀材料层的第二开口;
所述双重图案化的目标图形包括所述第一开口和所述第二开口。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述利用第一掩模版对待刻蚀材料层进行第一图案化包括:
在所述待刻蚀材料层上形成第一光刻胶层;
利用所述第一掩模版对所述第一光刻胶层进行光刻,以将所述第一掩模图形和所述SRAF图形转移到所述第一光刻胶层;
在所述第一图案化后,以所述第一光刻胶层为掩模对所述待刻蚀材料层进行刻蚀,以将所述第一掩模图形和所述SRAF图形转移到所述待刻蚀材料层;
去除所述第一光刻胶层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述利用第二掩模版对所述待刻蚀材料层进行第二图案化包括:
在所述待刻蚀材料层上形成第二光刻胶层;
利用第二掩模版对所述第二光刻胶层进行光刻,以将所述第二掩模图形转移到所述第二光刻胶层;
在所述第二图案化后,以所述第二光刻胶层为掩模对所述待刻蚀材料层进行刻蚀,以将所述第二掩模图形转移到所述待刻蚀材料层。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述SRAF图形的尺寸与所述第二掩模图形的尺寸相同。
9.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述SRAF图形包括多个SRAF图形。
10.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述SRAF图形的形状包括矩形或L形。
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