[发明专利]一种具有限流功能的短路保护电路在审
申请号: | 201711317718.3 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN107947107A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 郑晓云;刘点 | 申请(专利权)人: | 北京新雷能科技股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/087 | 分类号: | H02H3/087;H02H3/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100096 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 限流 功能 短路 保护 电路 | ||
1.一种具有限流功能的短路保护电路,其特征在于,包括:过流检测电路、N沟道增强型MOS管电路、延迟控制电路和短路保护电路,其中:
所述过流检测电路的输入端与直流母线输入电连接,所述过流检测电路的第一输出端与所述N沟道增强型MOS管电路的输入端电连接,所述N沟道增强型MOS管电路的输出端与负载电连接,所述过流检测电路的控制信号反馈端与所述N沟道增强型MOS管电路的控制端电连接,所述过流检测电路的第一输出端和第二输出端与所述延迟控制电路的输入端电连接,所述延迟控制电路的输出端与所述短路保护电路的输入端电连接,所述短路保护电路的控制信号反馈端与所述N沟道增强型MOS管电路的控制端电连接;
所述过流检测电路用于检测直流母线电流的大小,并将检测结果反馈给所述N沟道增强型MOS管电路,所述N沟道增强型MOS管电路根据反馈信号调整保证电流在设计值的范围内;
所述N沟道增强型MOS管电路为N沟道MOSFET串联在母线供电线路负线,利用所述N沟道MOSFET恒流区限制所述直流母线电流的大小,并且通过控制所述N沟道MOSFET的关断切断直流母线电流;
所述延迟控制电路用于所述直流母线输入电流通过所述过流检测电路检测后,当所述直流母线电流超过电流设定值,且持续超过预设时间时,向所述短路电路发出关断信号;
所述短路保护电路用于接收所述延迟控制电路发出的所述关断信号,所述短路保护电路向所述N沟道增强型MOS管电路发出关断信号切断直流母线电流并进入锁死状态。
2.根据权利要求1所述的具有限流功能的短路保护电路,其特征在于,所述延迟控制电路包括差分放大电路、运算延迟电路和VCC基准电路,其中:
所述差分放大电路的输入端作为所述延迟控制电路的输入端与所述过流检测电路的第二输出端电连接,所述差分放大电路的输出端与所述运算延迟电路的输入端电连接,所述运算延迟电路的输出端作为所述延迟控制电路的输出端与所述短路保护电路的输入端电连接,所述VCC基准电路的输出端分别与所述差分放大电路和所述运算延迟电路的电源输入端电连接;
所述差分放大电路用于将所述过流检测电路采集的信号进行放大,并提供给所述运算延迟电路;
所述运算延迟电路用于将放大后的信号与过流设定值比较,若所述放大后的信号超过所述过流设定值,则延迟预设时间后发出关断信号给所述短路保护电路;
所述VCC基准电路用于为所述差分放大电路和所述延时运算电路提供供电和基准设定值。
3.根据权利要求1所述的具有限流功能的短路保护电路,其特征在于,所述过流检测电路包括:第二保护电阻、第三保护电阻、电流采样电阻和NPN型三极管,其中:
所述电流采样电阻的第一端作为所述过流检测电路的输入端与所述直流母线输入电连接,所述电流采样电阻的第二端作为所述过流检测电路的第一输出端与所述N沟道增强型MOS管电路的输入端电连接;
所述第二保护电阻的第一端与所述电流采样电阻的第二端电连接,所述第二保护电阻的第二端与所述NPN型三极管的基极电连接,所述NPN型三极管的发射极与所述电流采样电阻的第一端电连接,所述NPN型三极管的集电极与所述第三保护电阻的第一端电连接,所述第三保护电阻的第二端作为所述过流检测电路的控制信号反馈端与所述N沟道增强型MOS管电路的控制端电连接;
所述电流采样电阻的第一端与所述NPN型三极管的发射极的公共端作为所述过流检测电路的第二输出端与所述延迟控制电路的输入端电连接。
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