[发明专利]一种二维微间距高密度阵列准直器及制备方法

权利要求书

1.一种二维微间距高密度阵列准直器，其特征在于，包括：

光纤阵列(105A～105F)，底板为1×N的V型槽结构，各光纤阵列(105A～105F)调试焦距一致性后依次叠压封装形成二维光纤阵列整体；

透镜阵列固定框架(102)，其内面设置若干个与光纤阵列(105A～105F)位于同一线度且中心对齐的透镜阵列(101A～101F)，其外面设置若干个与标准阵列准直器(803)同一线度及中心对齐的全反棱镜条(801A、801B、801C、801D、801E)。

2.根据权利要求1所述的一种二维微间距高密度阵列准直器，其特征在于，所述二维光纤阵列中各层V型槽中光纤数量可为不等数量。

3.根据权利要求1所述的一种二维微间距高密度阵列准直器，其特征在于，中间一排透镜阵列不经过全反棱镜直接出光，其余N-1排透镜阵列均经过全反棱镜折光后出光。

4.根据权利要求1所述的一种二维微间距高密度阵列准直器，其特征在于，还包括N-3个全反棱镜隔块(801A～801C)，其中中间排无全反棱镜长条(801A、801B、801C、801D、801E)及全反棱镜隔块(802A、802B、802C)，与中间排紧邻的上下两排阵列准直器所配置的全反棱镜长条(801B、801C)直接固定在透镜阵列固定框架(102)上，其余N-3排全反棱镜长条(801A、801D、801E)用长度递增的全反棱镜隔块(801A、801B、801C)固定在透镜阵列固定框架(102)上，并保持各全反棱镜长条(801A、801B、801C、801D、801E)在光的出射方向上的空间位置错开。

5.根据权利要求1所述的一种二维微间距高密度阵列准直器，其特征在于，所述全反棱镜(801A、801B、801C、801D、801E)以所述隔块(801A、801B、801C)固定，所述各层隔块(801A、801B、801C)厚度大于所述全反棱镜(801A、801B、801C、801D、801E)的厚度，且所述各层隔块(801A、801B、801C)厚度以全反棱镜条(801A、801B、801C、801D、801E)厚度为增量递增。

6.根据权利要求1所述的一种二维微间距高密度阵列准直器，其特征在于，所述全反棱镜长条(801A、801B、801C、801D、801E)与所述透镜阵列固定框架(102)贴合面为矩形，其中矩形长度大于所述透镜阵列框架(102)出射面1×N光斑总宽度，矩形高度大于所述透镜阵列框架(102)出射面1×N光斑最大高度。

7.根据权利要求1所述的一种二维微间距高密度阵列准直器，其特征在于，所述1×N光纤阵列(105A～105F)具有玻璃盖板。

8.一种二维微间距高密度阵列准直器的制备方法，其特征在于，包括：

光纤阵列组装步骤，将底板为1×N的V型槽结构的各光纤阵列(105A～105F)调试焦距一致性后依次叠压封装形成二维光纤阵列整体；

透镜阵列组装步骤，在与所述二维光纤阵列整体相连的透镜阵列固定框架(102)内侧设置若干个与光纤阵列(105A～105F)位于同一线度且中心对齐的透镜阵列(101A～101F)以形成二维标准阵列准直器；

全反棱镜组装步骤，设置若干个与二维标准阵列准直器(803)每层位于同一线度且中心对齐的全反棱镜条(801A、801B、801C、801D、801E)以形成微间距高密度阵列准直器。

9.根据权利要求7所述的一种二维微间距高密度阵列准直器的制备方法，其特征在于，所述全反棱镜组装步骤具体包括：

将一个1×N参考阵列准直器(803)装置固定于微调架上并调试其沿出射面旋转角及其中心位置，使其与二维阵列准直器前体某一层的1×N阵列准直器实现线度及中心对齐；

将全反棱镜长条(801A、801B、801C、801D、801E)置于二维阵列准直器前体出射端并调试其沿二维阵列准直器前体出射面的旋转角及中心位置，在其出射光与所述1×N参考阵列准直器位于相同线度并中心对齐后，将其固定于所述透镜阵列固定框(102)上

重复上述过程N-1次以完成二维阵列准直器各层1×N阵列准直器输出的间隔调整。