[发明专利]一种逻辑电路操作方法

权利要求书

1.一种逻辑电路实现IMP逻辑计算功能的操作方法，其特征在于，包括下述步骤：

在逻辑电路的第一输入端施加V_set电压脉冲，逻辑电路的级联端悬空，接地端接地；并通过在逻辑电路的第二输入端施加电压脉冲输入信号作为逻辑电路的第一输入，将逻辑电路中阻变单元的初始阻态作为第二输入，从而实现IMP逻辑计算；

其中，当电压脉冲输入信号为高电平时，记为逻辑“0”；当电压脉冲输入信号为低电平时，记为逻辑“1”；

所述逻辑电路，包括：阻变单元和场效应晶体管；

所述阻变单元的正极作为第一输入端(1)，所述阻变单元的负极与所述场效应晶体管的漏极连接后作为级联端(2)，所述阻变单元的栅极作为第二输入端(3)，所述场效应晶体管的源极作为接地端(4)；

所述第一输入端用于施加逻辑操作电压；所述级联端用于外接电路；所述第二输入端用于施加逻辑输入电压信号；所述接地端用于接地。

2.如权利要求1所述的逻辑电路实现IMP逻辑计算功能的操作方法，其特征在于，工作时，通过给所述阻变单元的正、负极两端施加大于第一阈值的正向电压脉冲时，所述阻变单元阻变至低阻态；当给所述阻变单元正、负极两端施加超过第二阈值的负向电压脉冲时，所述阻变单元阻变至高阻态。

3.如权利要求2所述的逻辑电路实现IMP逻辑计算功能的操作方法，其特征在于，当所述阻变单元阻变至低阻态时，将阻变单元低阻态记为逻辑值“1”；当所述阻变单元阻变至高阻态时，将阻变单元高阻态记为逻辑值“0”。

4.如权利要求1-3任一项所述的逻辑电路实现IMP逻辑计算功能的操作方法，其特征在于，所述场效应晶体管为N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管；当源极接地时，若在栅极施加的正向电压超过第三阈值时，漏极和源极之间形成导通通道；若在栅极施加的正向电压没有超过第三阈值时，漏极和源极之间无导通通道。

5.如权利要求1所述的逻辑电路实现IMP逻辑计算功能的操作方法，其特征在于，通过在级联端连接电阻-电压转换电路，实现将阻变单元的阻态转换为电压信号，从而实现级联功能。

6.一种逻辑电路实现数据写入功能的操作方法，其特征在于，包括下述步骤：

在逻辑电路的第二输入端施加V_G电压脉冲，逻辑电路的级联端悬空，接地端接地；并在V_G电压脉冲的持续时间内，通过在逻辑电路的第一输入端施加V_set电压脉冲，使得逻辑电路中的阻变单元发生阻变至低阻态，在阻变单元中实现数据1的写入；通过在逻辑电路的第一输入端施加V_reset电压脉冲，使得阻变单元发生阻变至高阻态，在阻变单元中实现数据0的写入；

其中，V_G的电压幅值大于第三阈值，V_set的电压幅值大于第一阈值，V_reset的电压幅值大于第二阈值；

所述逻辑电路，包括：阻变单元和场效应晶体管；

所述阻变单元的正极作为第一输入端(1)，所述阻变单元的负极与所述场效应晶体管的漏极连接后作为级联端(2)，所述阻变单元的栅极作为第二输入端(3)，所述场效应晶体管的源极作为接地端(4)；

所述第一输入端用于施加逻辑操作电压；所述级联端用于外接电路；所述第二输入端用于施加逻辑输入电压信号；所述接地端用于接地。