[发明专利]降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法以及制备非固体电解质钽电容的方法

说明书

本发明涉及于非固体电解质钽电容器制造技术领域，具体而言，涉及一种降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法以及制备非固体电解质钽电容的方法。降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法，包括以下步骤：依次进行自然浸润和分次施加电流，第一施加电流为升压总电流的5‑15％，第二次施加电流是以5‑30分钟施加升压总电流的10‑20％的速率施加电流。该方法能够有效的降低了非固体电解质钽电容器形成后漏电流值，提高了产品的可靠性。

技术领域

本发明涉及于非固体电解质钽电容器制造技术领域，具体而言，涉及一种降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法以及制备非固体电解质钽电容的方法。

背景技术

钽电解电容器由于其体积小、容量大、漏电流小、低损耗、寿命长等诸多优异性能而被广泛的应用于各种民用和军用电子产品中。随着工业革命的发展和深入，对元器件的精度要求越来越严格，主要朝着小型化，轻型化，高压大容量的方向发展，这为钽电容器的技术突破提出了更大的挑战，阳极钽块是钽电容器的心脏，只有有了高质量的阳极钽块，才能让钽电容的寿命和可靠性有所保障，在钽电容器的生产过程中，阳极钽块形成后的参数的大小往往直接关系到产品的质量，特别是形成后的漏电流值的大小，直接关系到形成后氧化膜的可靠性，因此，减低钽电容器形成后的漏电流值也是钽电容器生产厂家不懈努力的方向。

发明内容

本发明提供了一种降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法，该方法能够有效的降低了非固体电解质钽电容器形成后漏电流值，提高了产品的可靠性。

本发明还提供一种制备非固体电解质钽电容的方法，该制备方法操作简单，制备得到的钽电容的漏电流值低。

本发明是这样实现的：

一种降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法，包括以下步骤：

依次进行自然浸润和分次施加电流，第一施加电流为升压总电流的5-15％，第二次施加电流是以5-30分钟施加升压总电流的10-20％的速率施加电流。

一种制备非固体电解质钽电容的方法，其包括上述的降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法。

本发明的有益效果是：本发明在产品的生产工艺允许的范围内，通过改变阳极钽块的浸润方式和时间、加流过程，实施过程分段加流以及控制溶液温度等方式，有效的降低了非固体电解质钽电容器形成后漏电流值，提高了产品的可靠性。为市场的对该类型产品高可靠性要求提供了生产制造保障。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

下面对本发明实施例的降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法以及制备非固体电解质钽电容的方法进行具体说明。

一种降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法，具体地，包括以下步骤：

S1、选料；

选择用于阳极钽块成型的钽粉，钽粉的比容为5000-70000μF·V/g，金属钽粉末可以在粉表面生成的致密氧化膜具有单向导电的阀金属性质，而采用比容为5000-70000μF·V/g的钽粉粉末较细，表面积较大，能够保证烧结后具有较高的活化程度，且防止烧结形成的孔隙闭合，也减小表面积的损失，继而使得烧结后得到阳极钽块具有良好的微孔结构，继而有利于后续氧化膜的形成。

S2、烧结；