[发明专利]一种散尾葵的栽培基质及其栽培方法在审

专利信息
申请号: 201711319545.9 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN107873463A 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 寸国强 申请(专利权)人: 寸国强
主分类号: A01G22/60 分类号: A01G22/60;A01G24/23;A01G24/10;A01G24/15;A01G24/25;A01G24/20;A01G24/28;C05G3/02;C05G3/04
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 代理人: 赵宇,刘东
地址: 615000 四川省凉山*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 散尾葵 栽培 基质 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种散尾葵的栽培基质,其特征在于:按重量份数计,所述栽培基质包括以下组分:木屑20~30份,黄壤土20~30份,蛭石10~20份,椰糠10~15份,牛粪10~30份,草木灰10~20份,沼渣5~10份。

2.根据权利要求1所述的一种散尾葵的栽培基质,其特征在于:按重量份数计,所述栽培基质包括以下组分:木屑25份,黄壤土26份,蛭石18份,椰糠12份,牛粪20份,草木灰16份,沼渣8份。

3.根据权利要求1或2所述的一种散尾葵的栽培基质,其特征在于:所述木屑是通过以下方法预处理后获得的:将堆置在一起且含水量达80%以上的木屑用塑料膜密闭后,在气温达30℃以上的太阳光下暴晒10-15天,所述木屑的粒径为0.2-0.4cm。

4.一种散尾葵的栽培方法,其特征在于:所述栽培方法包括:

(1)选择自然遮荫度在40-50%之间、光照为漫射光和/或散射光且光照强度在2000-5000lux之间的环境下进行散尾葵栽培;

(2)将定植用的散尾葵苗栽植入栽培基质中,栽植方法为:在栽培基质上划浅穴,将散尾葵苗的根部插入浅穴中后,用栽培基质盖住散尾葵苗的根部,之后浇定根水;控制空气湿度在70-80%之间,温度在15-30℃之间;

(3)栽植后观察栽培基质表面,当栽培基质表面变白时需喷雾浇水。

5.根据权利要求4所述的一种散尾葵的栽培方法,其特征在于:步骤(1)所述自然遮荫度在45-50%之间,光照强度在2500-3500lux之间。

6.根据权利要求4所述的一种散尾葵的栽培方法,其特征在于:步骤(2)栽植时按照3-7cm×5-9cm的株行距将散尾葵苗栽种入栽培基质中,散尾葵苗的根部插入浅穴的深度为1-3cm。

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