[发明专利]一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池

权利要求书

1.一种湿法黑硅的选择发射极制作方法，其特征在于，包括：

对硅片进行湿法制绒，形成黑硅表面；

在所述黑硅表面进行扩散，形成n型元素掺杂区域；

在所述黑硅表面与待制作金属栅线位置相对应的区域进行激光刻槽，利用激光消融方式将所述n型元素区域中的n型元素聚集在激光刻槽区域，形成具有预设深度的n+区域，构成选择发射极，所述激光刻槽区域的面积大于所述待制作金属栅线的面积；

所述激光刻槽区域的宽度范围为80μm至120μm；

所述预设深度的范围为3μm至10μm。

2.根据权利要求1所述的湿法黑硅的选择发射极制作方法，其特征在于，

所述激光刻槽为利用波长为532nm的激光进行刻槽。

3.根据权利要求1所述的湿法黑硅的选择发射极制作方法，其特征在于，

所述n型元素为磷元素。

4.根据权利要求1-3任一项所述的湿法黑硅的选择发射极制作方法，其特征在于，

所述待制作金属栅线为银栅线。

5.根据权利要求4所述的湿法黑硅的选择发射极制作方法，其特征在于，

所述银栅线的宽度为40μm。

6.一种太阳能电池，其特征在于，包括在黑硅表面利用如权利要求1-5任一项所述的方法制作的选择发射极，所述选择发射极中设置有金属栅线。