[发明专利]一种荧光陶瓷材料、其制备方法以及一种低色温白光LED

权利要求书

1.一种荧光陶瓷材料，其特征在于，其化学式为：

(A2-xRexM)(Mg2D3)O12

其中，A为Y、Lu、Sc、Gd、Ga中的一种元素或两种以上元素的组合；Re为稀土元素Eu、Ce、Pr、Sm、Dy、Tm、Tb、Nd中的一种元素或两种以上元素的组合；M为Ca、Sr、Ba中的一种元素或两种以上元素的组合；D为Ti、Si、Ge中的一种元素或两种以上元素的组合；并且，0.001≤x<2。

2.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，0.001≤x≤0.2，优选为0.01≤x≤0.1。

3.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷材料的激发波长在400-550nm范围内。

4.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷材料在蓝光激发下发射波长在500-700nm范围内。

5.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷的发射峰位置可以通过改变所述化学式中的元素及稀土元素种类和浓度进行调控。

6.根据权利要求1-5中所述的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)按(A2-xRexM)(Mg2D3)O12的化学计量比，将A的氧化物或者相应的盐、Re的氧化物或者相应的盐、M的氧化物或者相应的盐、D的氧化物或者相应的盐、氧化镁或者镁相应的盐进行混合，得到纳米或者亚微米级别的粉体；

(2)将所述粉体煅烧，去除粉体中的有机物及挥发物，并进行压片制作陶瓷素坯；

(3)将所述陶瓷素坯进行烧结以及退火，得到荧光陶瓷；

(4)将所述荧光陶瓷进行抛光处理。

7.根据权利要求6所述的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，得到粉体的方法包括球磨法、溶胶凝胶法或均匀沉淀法；

作为优选，所述步骤(2)中，煅烧温度为600℃-1200℃，保温1h-24h。

作为优选，所述步骤(2)中，素坯制作方法包括等轴单向、等轴双向施压以及冷等静压。

8.根据权利要求6所述的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，烧结方法包括真空烧结、还原气氛烧结、热压烧结以及热等静压烧结；

作为优选，烧结过程为升温至600℃-1200℃，保温1h-24h，然后升温至1300℃-1450℃，保温2h-24h之后冷却到室温；

作为优选，所述步骤(3)中，退火温度为900℃-1300℃，保温时间优选2h-20h。

9.一种白光LED，由权利要求1-5中任一权利要求所述的荧光陶瓷材料与蓝光芯片组装得到。

10.根据权利要求9所述的白光LED，其特征在于，其特征在于，色温在2600-3000K之间。