[发明专利]一种芯片I/O接口的保护装置在审

专利信息
申请号: 201711322253.0 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN107834531A 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 杨靖;梅当民;陈晓龙 申请(专利权)人: 英特格灵芯片(天津)有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H3/20
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所11309 代理人: 陈霁
地址: 300457 天津市滨海新区天*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 接口 保护装置
【权利要求书】:

1.一种芯片I/O接口的保护装置,其特征在于,所述保护装置包括:一个第一保护单元和至少一个第二保护单元;其中,所述第一保护单元为瞬态高压保护单元,所述第二保护单元为直流高压保护单元。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述瞬态高压保护单元设置有第一触发阈值,当所述芯片端口输入电压高于所述瞬态高压保护单元的第一触发阈值时,所述瞬态高压保护单元形成对地放电电路,对所述芯片内部模块进行保护。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述直流高压保护单元设置有第二触发阈值,所述直流高压保护单元中的高压检测单元对所述芯片端口输入电压进行检测,通过开关控制输入电路的开合,对所述芯片内部模块进行保护。

4.根据权利要求1-3任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述瞬态高压保护单元与所述直流高压保护单元单独对所述芯片内部模块进行保护。

5.根据权利要求1-3任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述瞬态高压保护单元与所述直流高压保护单元配合对所述芯片内部模块进行保护。

6.根据权利要求1-5任一权利要求所述的装置,其特征在于,所述瞬态高压保护单元的第一触发阈值高于所述直流高压保护单元的第二触发阈值。

7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的装置,所述瞬态高压保护单元对高压过冲震荡波形进行处理。

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