[发明专利]光栅制作方法

权利要求书

1.一种光栅制作方法，其特征在于，包括：

在基底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶，其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶，且其最低显开能量小于所述第一光刻胶；

采用第一掩膜板对所述第二光刻胶进行第一次曝光处理，其中所述第二光刻胶在第一掩膜区域形成第一光刻胶图形；

采用第二掩膜板对所述第二光刻胶进行第二次曝光处理，其中所述第二掩膜板至少部分覆盖第一曝光区域，且所述第一光刻胶在第二曝光区域形成第二光刻胶图形；

对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行显影处理，形成具有第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的光刻胶台阶结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对所述光刻胶台阶结构进行固化处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为半导体衬底或者在所述半导体衬底表面形成的介质层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次曝光处理采用的第一曝光能量大于所述第二光刻胶的第二最低显开能量，但小于所述第一光刻胶的第一最低显开能量。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二次曝光处理采用的第二曝光能量大于所述第一最低显开能量和所述第二最低显开能量。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜区域为被所述第一掩膜板覆盖的区域，而所述第一曝光区域为未被所述第一掩膜板覆盖的区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第二掩膜区域为被所述第二掩膜板覆盖的区域，而所述第二曝光区域为未被所述第二掩膜板覆盖的区域。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜板的尺寸大于所述第一掩膜板的尺寸，所述第二掩膜板整体覆盖所述第一掩膜区域，并且至少部分覆盖所述第一曝光区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光刻胶台阶结构的第一光刻胶图形与所述第一掩膜板相对应，而所述光刻胶台阶结构的第二光刻胶图形与所述第二掩膜板相对应，其中所述光刻胶台阶结构作为光栅，用于在其使用过程中光线产生干涉、衍射或反射来达到相应的光学功能。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，在所述基底表面形成有具有不同最低显开能量的多层光刻胶，且所述多层光刻胶分别采用相应的曝光能量进行多次处理以形成具有多层台阶的光刻胶台阶结构。